著者

菊田 大悟 成田 哲生 高橋 直子 片岡 恵太 木本 康司 上杉 勉 加地 徹 杉本 雅裕

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 (ISSN:09135685)

巻号頁・発行日

vol.110, no.272, pp.59-62, 2010-11-04

参考文献数

5

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p型GaNのエッチングダメージについて深さ方向分布、特に表面のバンド曲がりについて硬X線光電子分光(HAX-PES)法を用いて評価した。光電子の取り出し角を変化させることで異なる深さからの光電子の情報を検出し、p型GaN表面付近のバンド曲がりを解析した。その結果、ドライエッチングを施したp型GaN表面には1〜2×10^<20>cm^<-3>のドナー性欠陥が導入され、ICPドライエッチング時のバイアスパワーを大きくすることで、結晶奥深く(5〜8nm)まで欠陥が入ることが示された。