著者

松井 真二 落合 幸徳 山下 浩

出版者

公益社団法人 応用物理学会

雑誌

応用物理 (ISSN:03698009)

巻号頁・発行日

vol.70, no.4, pp.411-417, 2001-04-10 (Released:2009-02-05)

参考文献数

49

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半導体集積回路に代表されるデバイス微細加工のキーテクノロジーである電子ビーム露光技術の最近の動向と将来展望について述べる.パターン描画機能をもっ電子ビーム露光技術は,現在の量産用リソグラフィー技術である光露光の高精度マスク描画,少量多品種システムLSI製造に不可欠の技術である.近年,波長制限によって,光露光技術が解像度限界に達しつつあり, 70nm 以降の次世代量産技術として,分割転写方式,マルチビーム方式などの高スループット電子ビーム露光技術が注目されており,それらの最新動向について解説する.