- 著者
-
松井 真二
落合 幸徳
山下 浩
- 出版者
- 公益社団法人 応用物理学会
- 雑誌
- 応用物理 (ISSN:03698009)
- 巻号頁・発行日
- vol.70, no.4, pp.411-417, 2001-04-10 (Released:2009-02-05)
- 参考文献数
- 49
半導体集積回路に代表されるデバイス微細加工のキーテクノロジーである電子ビーム露光技術の最近の動向と将来展望について述べる.パターン描画機能をもっ電子ビーム露光技術は,現在の量産用リソグラフィー技術である光露光の高精度マスク描画,少量多品種システムLSI製造に不可欠の技術である.近年,波長制限によって,光露光技術が解像度限界に達しつつあり, 70nm 以降の次世代量産技術として,分割転写方式,マルチビーム方式などの高スループット電子ビーム露光技術が注目されており,それらの最新動向について解説する.