著者

渡辺 克樹 高井 裕司 赤羽 浩一 山本 直克

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 (ISSN:09135685)

巻号頁・発行日

vol.114, no.97, pp.1-6, 2014-06-20

---

カーボンナノチューブ(CNT)は可飽和吸収などの光学的特徴を有しており、新規光デバイスへの利用が注目されている。CNTの特性はその構造に起因するため、構造を自由に制御する事が可能になれば、その光デバイスのより高性能化が期待される。我々はCNT構造の制御方法の一つとしてLASER ASSIST法を提案し、その詳細について検討を行っている。また、本研究ではFeやNi触媒を用いてCNTの作製を行い、触媒に対するCNT構造の比較検討を行った。AFMによって、触媒粒子の観測を行い、CNTの直径に起因する触媒の粒径の測定を行った。その結果、LASER ASSIST法により触媒の粒径が小さくなることが観測され、直径の細いCNTの合成に効果的であることが期待される。実際に、ラマン分光測定によるCNT直径の観測結果から、CNTの直径が小さくなることが確認された。したがって、LASER ASSIST法を用いることで、光デバイスで利用される小口径のCNTが作製できることが明らかとなった。

著者

吉岡 佑毅 山本 直克 赤羽 浩一 川西 哲也 外林 秀之 高井 裕司

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会技術研究報告. R, 信頼性 (ISSN:09135685)

巻号頁・発行日

vol.112, no.180, pp.51-56, 2012-08-16

参考文献数

11

---

新たな光周波数資源の開拓は,将来の光情報通信容量拡大の基盤技術となる.我々は,光情報通信応用を目的とした新周波数帯域としてT-band (1000-1260nm)とO-band (1260-1360nm)に注目し,この帯域で動作する光ゲインデバイスの研究開発を推進している.今回,GaAs基板上にInAs/InGaAs量子ドットを積層させたものとInAs/InGaAs量子ドット上のギャップ層を制御し変調量子ドット構造を持たせた二種類の光ゲインチップを作製した.この光ゲインチップを外部共振器機構に組み込み波長可変光源を構築した.結果,ゲイン材料にInAs/InGaAs量子ドットを用い広帯域利得を得ることで1.2μm-1.3μm帯で動作する広帯域波長可変光源の開発に成功した.

著者

藤岡 裕己 山本 直克 赤羽 浩一 川西 哲也 高井 裕司

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス (ISSN:09135685)

巻号頁・発行日

vol.109, no.403, pp.81-84, 2010-01-21

---

レーザダイオードや発光ダイオードなどの光半導体デバイスにおいて、出力光の光波制御は光通信や計測分野において重要な課題である。我々は、デバイス表面への微細構造加工による光波制御を目的として新デバイス構造の検討を行っている。従来デバイスでは活性層上部に非常に厚いクラッド層を有しており、表面構造からデバイス内部を伝搬する光波へ有効な影響を与えるためには高アスペクト比な加工が必要であった。そこで、我々は、活性層上部のクラッド層を極端に薄くした半導体ハーフクラッド構造を提案し、低アスペクト比で簡便な表面微細加工による光波制御を目指す。本論文では半導体ハーフクラッド構造とその作製プロセスおよび、半導体ハーフクラッド光源のデバイス特性について報告する。

著者

藤岡 裕己 山本 直克 赤羽 浩一 川西 哲也 高井 裕司

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会技術研究報告. PN, フォトニックネットワーク (ISSN:09135685)

巻号頁・発行日

vol.109, no.401, pp.81-84, 2010-01-21

参考文献数

5

---

レーザダイオードや発光ダイオードなどの光半導体デバイスにおいて、出力光の光波制御は光通信や計測分野において重要な課題である。我々は、デバイス表面への微細構造加工による光波制御を目的として新デバイス構造の検討を行っている。従来デバイスでは活性層上部に非常に厚いクラッド層を有しており、表面構造からデバイス内部を伝搬する光波へ有効な影響を与えるためには高アスペクト比な加工が必要であった。そこで、我々は、活性層上部のクラッド層を極端に薄くした半導体ハーフクラッド構造を提案し、低アスペクト比で簡便な表面微細加工による光波制御を目指す。本論文では半導体ハーフクラッド構造とその作製プロセスおよび、半導体ハーフクラッド光源のデバイス特性について報告する。