著者

高井 裕司 伊藤 糾次

出版者

公益社団法人 応用物理学会

雑誌

応用物理 (ISSN:03698009)

巻号頁・発行日

vol.53, no.8, pp.723-726, 1984-08-10 (Released:2009-02-09)

参考文献数

9

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透過電子顕微鏡法による断面構造の観察は,薄膜積層構造のみでなく,エピタキシャル成長層やイオン注入層の結晶構造の観察にも有力な手段である.本稿では,断面観察に必要な断面試料の作製手順,ならびに観察例として,多結晶Si/SiO2構造,Siイオンを注入したSi結晶に発生した欠陥の分布等を示した.

著者

杉岡 幸次 十文字 正之 高井 裕司 田代 英夫 豊田 浩一

出版者

一般社団法人 電気学会

雑誌

電気学会論文誌A(基礎・材料・共通部門誌) (ISSN:03854205)

巻号頁・発行日

vol.115, no.9, pp.903-911, 1995-08-20 (Released:2008-07-15)

参考文献数

21

被引用文献数

1

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Simultaneous incorporation and deposition of Si by KrF excimer laser beam irradiation in a silane (SiH4) gas ambient realize to form functionally gradient structure in stainless-steel 304. The process is referred to as the laser implant-deposition (LID). The basic model to achieve such a gradient structure is investigated by analyzing Si depth profiles and total quantities of supplied Si atoms (Si dose) for various experimental conditions. The theories of this model involve both of the photodecomposition of SiH4 gas by KrF excimer laser photons and liquid-phase difusion of the dissociated Si atoms into the stainless-steel. The Si dose is empirically estimated by taking account of the photodecomposition and the mass transport theory. The Si depth profiles are calculated by the liquid-phase diffusion model using the estimated Si dose, showing good agreement with the experimental results. In addition, the hardness, the corrosin property, and the thermal stability of the gradient structure are discussed.

著者

高井 裕司 山本 直克 山崎 史敬

出版者

東京電機大学総合研究所

雑誌

総合研究所年報

巻号頁・発行日

no.20, pp.83-88, 2000

著者

高井 裕司

出版者

東京電機大学総合研究所

雑誌

総合研究所年報

巻号頁・発行日

no.24, pp.95-98, 2004

著者

高井 裕司

出版者

東京電機大学総合研究所

雑誌

総合研究所年報

巻号頁・発行日

no.22, pp.31-36, 2002

著者

小川 一 高井 裕司 水野 雅信 村岡 道明

雑誌

全国大会講演論文集

巻号頁・発行日

vol.54, pp.137-138, 1997-03-12

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プロセッサ設計において、RTレベルより上流でのアーキテクチャの検証及び性能評価を行う試みはいくつか行われでいる。この際、用いられるアーキテクチャの動作記述には、次の点で課題があった。・動作記述の拡張性、流用性 ・下流設計環境との整合性 そこで上記課題を解決するために、アーキテクチャレベルのモデルを明確化し、汎用的なハードウエア記述言語 (Verilog-HDL)を用いて、高速なシミュレーシヨンと性能評価を可能とする動作記述の規約化を行った。本稿では、Verilog-HDL によるアーキテクチャレベルでの動作記述 (アーキテクチャ動作記述) 及びそのモデルを提案し、これを用いた設計フローと通信用プロセッサでの評価結果を報告する。

著者

高井 裕司 伊藤 糾次

出版者

応用物理学会

雑誌

応用物理 (ISSN:03698009)

巻号頁・発行日

vol.53, no.8, pp.p723-726, 1984-08

著者

渡辺 克樹 高井 裕司 赤羽 浩一 山本 直克

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 (ISSN:09135685)

巻号頁・発行日

vol.114, no.97, pp.1-6, 2014-06-20

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カーボンナノチューブ(CNT)は可飽和吸収などの光学的特徴を有しており、新規光デバイスへの利用が注目されている。CNTの特性はその構造に起因するため、構造を自由に制御する事が可能になれば、その光デバイスのより高性能化が期待される。我々はCNT構造の制御方法の一つとしてLASER ASSIST法を提案し、その詳細について検討を行っている。また、本研究ではFeやNi触媒を用いてCNTの作製を行い、触媒に対するCNT構造の比較検討を行った。AFMによって、触媒粒子の観測を行い、CNTの直径に起因する触媒の粒径の測定を行った。その結果、LASER ASSIST法により触媒の粒径が小さくなることが観測され、直径の細いCNTの合成に効果的であることが期待される。実際に、ラマン分光測定によるCNT直径の観測結果から、CNTの直径が小さくなることが確認された。したがって、LASER ASSIST法を用いることで、光デバイスで利用される小口径のCNTが作製できることが明らかとなった。

著者

花田 修賢 杉岡 幸次 高瀬 史裕 宮本 岩男 高井 裕司 緑川 克美

出版者

一般社団法人 スマートプロセス学会 (旧高温学会)

雑誌

高温学会誌 (ISSN:03871096)

巻号頁・発行日

vol.30, no.2, pp.105-110, 2004

被引用文献数

4

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Crack-free microfabrication of sapphire with little debris deposition and little swelling around ablated regions by laser-induced plasma-assisted ablation (LIPAA) using a second harmonic of Q-switched Nd:YAG laser is described. LIPAA process has been originally developed by ourselves in which merely a single conventional pulsed laser is used. In this process, the wavelength of laser beam must be transparent to the substrate, so that the laser beam goes through the substrate first and is then absorbed by a metal target placed behind. For laser fluence above ablation threshold for the target and below damage threshold for the substrate, the laser-induced plasma is generated from the metal target and then the species fly towards the rear surface of the substrates with very high speed. Due to the interaction of the laser beam and the plasma, ablation takes place at the rear surface of the substrate. Dependence of ablation depth and width of ablated grooves on scanning speed and target-substrate distance are investigated. Based on the obtained results, LIPAA process is applied for scribing of sapphire substrates. Double scan of laser beam with a shift of the focal point shows a great potential of high-quality scribing of sapphire substrates.

著者

吉岡 佑毅 山本 直克 赤羽 浩一 川西 哲也 外林 秀之 高井 裕司

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会技術研究報告. R, 信頼性 (ISSN:09135685)

巻号頁・発行日

vol.112, no.180, pp.51-56, 2012-08-16

参考文献数

11

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新たな光周波数資源の開拓は,将来の光情報通信容量拡大の基盤技術となる.我々は,光情報通信応用を目的とした新周波数帯域としてT-band (1000-1260nm)とO-band (1260-1360nm)に注目し,この帯域で動作する光ゲインデバイスの研究開発を推進している.今回,GaAs基板上にInAs/InGaAs量子ドットを積層させたものとInAs/InGaAs量子ドット上のギャップ層を制御し変調量子ドット構造を持たせた二種類の光ゲインチップを作製した.この光ゲインチップを外部共振器機構に組み込み波長可変光源を構築した.結果,ゲイン材料にInAs/InGaAs量子ドットを用い広帯域利得を得ることで1.2μm-1.3μm帯で動作する広帯域波長可変光源の開発に成功した.

著者

十文字 正之 杉岡 幸次 高井 裕司

出版者

理化学研究所

雑誌

レ-ザ-科学研究 (ISSN:02898411)

巻号頁・発行日

no.19, pp.61-63, 1997-09

著者

十文字 正之 小幡 孝太郎 小林 卯尚 杉岡 幸次 高井 裕司 緑川 克美 豊田 浩一

雑誌

レーザー学会研究会報告 = Reports on the Topical meeting of the Laser Society of Japan

巻号頁・発行日

vol.244, pp.1-5, 1997-09-24

著者

小幡 孝太郎 杉岡 幸次 高井 裕司 緑川 克美

雑誌

レーザー学会学術講演会年次大会講演予稿集 = Annual meeting, of the Laser Society of Japan digest of technical papers (ISSN:09136355)

巻号頁・発行日

vol.18, 1998-01-01

著者

小幡 孝太郎 杉岡 幸次 高井 裕司 緑川 克美

雑誌

レーザー学会学術講演会年次大会講演予稿集 = Annual meeting, of the Laser Society of Japan digest of technical papers (ISSN:09136355)

巻号頁・発行日

vol.19, 1999-01-01

参考文献数

3

著者

小幡 孝太郎 杉岡 幸次 甲野 竜哉 高井 裕司 豊田 浩一 緑川 克美

出版者

一般社団法人 電気学会

雑誌

電気学会論文誌. C, 電子・情報・システム部門誌 = The transactions of the Institute of Electrical Engineers of Japan. C, A publication of Electronics, Information and System Society (ISSN:03854221)

巻号頁・発行日

vol.123, no.2, pp.241-245, 2003-02-01

参考文献数

13

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Dynamics of ablation of fused silica by multiwavelength excitation process using F₂ and KrF excimer laser has been investigated by energy analyzed mass spectrometry of ablated species. The number of generated Si⁺ ion by multiwavelength excitation process corresponds to that by single-F₂ laser ablation and to approximately 2.1 times higher than that by single-KrF excimer laser ablation. In addition, kinetic energy distribution of Si⁺ ablated by multiwavelength excitation process shows almost same as that by single-F₂ laser ablation. We regard that absorption of KrF excimer laser by excited state generated by F₂ laser (excited-state absorption: ESA) causes effective photoionization, resulting in enhancement of Si⁺ with higher kinetic energy and then in high-quality ablation.

著者

花田 修賢 杉岡 幸次 高瀬 史裕 宮本 岩男 宮本 岩男 高井 裕司 緑川 克美

雑誌

レーザー学会研究会報告 = Reports on the Topical meeting of the Laser Society of Japan

巻号頁・発行日

vol.318, pp.7-12, 2003-12-15

参考文献数

8

著者

小幡 孝太郎 杉岡 幸次 稲村 隆宏 高井 裕司 緑川 克美

雑誌

レーザー学会研究会報告 = Reports on the Topical meeting of the Laser Society of Japan

巻号頁・発行日

vol.318, pp.13-18, 2003-12-15

参考文献数

6

著者

高井 裕司

出版者

東京電機大学総合研究所

雑誌

総合研究所年報

巻号頁・発行日

no.26, pp.49-54, 2006

著者

藤岡 裕己 山本 直克 赤羽 浩一 川西 哲也 高井 裕司

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス (ISSN:09135685)

巻号頁・発行日

vol.109, no.403, pp.81-84, 2010-01-21

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レーザダイオードや発光ダイオードなどの光半導体デバイスにおいて、出力光の光波制御は光通信や計測分野において重要な課題である。我々は、デバイス表面への微細構造加工による光波制御を目的として新デバイス構造の検討を行っている。従来デバイスでは活性層上部に非常に厚いクラッド層を有しており、表面構造からデバイス内部を伝搬する光波へ有効な影響を与えるためには高アスペクト比な加工が必要であった。そこで、我々は、活性層上部のクラッド層を極端に薄くした半導体ハーフクラッド構造を提案し、低アスペクト比で簡便な表面微細加工による光波制御を目指す。本論文では半導体ハーフクラッド構造とその作製プロセスおよび、半導体ハーフクラッド光源のデバイス特性について報告する。

著者

花田 修賢 杉岡 幸次 高瀬 史裕 宮本 岩男 高井 裕司 緑川 克美

出版者

高温学会

雑誌

高温学会誌 (ISSN:03871096)

巻号頁・発行日

vol.30, no.2, pp.105-110, 2004-03-30