著者

山中 直明 西村 光弘 石黒 正揮 岡崎 義勝 川西 哲也 釣谷 剛宏 中尾 彰宏 原井 洋明 廣岡 俊彦 古川 英昭 宮澤 雅典 山本 直克 吉野 修一

出版者

The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers

雑誌

電子情報通信学会論文誌 B (ISSN:13444697)

巻号頁・発行日

vol.J104-B, no.3, pp.315-336, 2021-03-01

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2020年に我が国でも5G商用サービスが本格開始され,2021年の東京オリンピック・パラリンピックでは,5Gを応用したサービスのトライアルが行われる.一方,同時に将来の技術やニーズを先取りしたBeyond 5G/6Gの研究開発スタートの年となる.Beyond 5G/6Gを検討する際は,将来を予想して必要となるサービスを左手とするならば,ブレークスルーにより発展する基盤技術を右手として,それらを融合するネットワークアーキテクチャを面的に考え,同時に時間軸のステップを考える必要がある.そのため,総務省が主体となり「Beyond 5G時代の有線ネットワーク検討会」を発足させ,キャリア,国立研究機関,アカデミアに加え,本分野の代表的な電子情報通信学会研究専門委員会の委員長,コンソーシアムの主導者にも参加頂き,Beyond 5Gのオーバービューとブレークスルー技術等の取りまとめを行った.本論文では,そこで取りまとめた「ネットワークビジョン2030」を電子情報通信学会の多くの読者,研究者に提供することにより,自らのビジネスや研究へのヒントを得ると同時に,各分野の最新動向をフィードバック頂くことで,常に最新のビジョンへブラッシュアップすることを目指し,執筆を行った.

著者

高井 裕司 山本 直克 山崎 史敬

出版者

東京電機大学総合研究所

雑誌

総合研究所年報

巻号頁・発行日

no.20, pp.83-88, 2000

著者

渡辺 克樹 高井 裕司 赤羽 浩一 山本 直克

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 (ISSN:09135685)

巻号頁・発行日

vol.114, no.97, pp.1-6, 2014-06-20

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カーボンナノチューブ(CNT)は可飽和吸収などの光学的特徴を有しており、新規光デバイスへの利用が注目されている。CNTの特性はその構造に起因するため、構造を自由に制御する事が可能になれば、その光デバイスのより高性能化が期待される。我々はCNT構造の制御方法の一つとしてLASER ASSIST法を提案し、その詳細について検討を行っている。また、本研究ではFeやNi触媒を用いてCNTの作製を行い、触媒に対するCNT構造の比較検討を行った。AFMによって、触媒粒子の観測を行い、CNTの直径に起因する触媒の粒径の測定を行った。その結果、LASER ASSIST法により触媒の粒径が小さくなることが観測され、直径の細いCNTの合成に効果的であることが期待される。実際に、ラマン分光測定によるCNT直径の観測結果から、CNTの直径が小さくなることが確認された。したがって、LASER ASSIST法を用いることで、光デバイスで利用される小口径のCNTが作製できることが明らかとなった。

著者

吉岡 佑毅 山本 直克 赤羽 浩一 川西 哲也 外林 秀之 高井 裕司

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会技術研究報告. R, 信頼性 (ISSN:09135685)

巻号頁・発行日

vol.112, no.180, pp.51-56, 2012-08-16

参考文献数

11

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新たな光周波数資源の開拓は,将来の光情報通信容量拡大の基盤技術となる.我々は,光情報通信応用を目的とした新周波数帯域としてT-band (1000-1260nm)とO-band (1260-1360nm)に注目し,この帯域で動作する光ゲインデバイスの研究開発を推進している.今回,GaAs基板上にInAs/InGaAs量子ドットを積層させたものとInAs/InGaAs量子ドット上のギャップ層を制御し変調量子ドット構造を持たせた二種類の光ゲインチップを作製した.この光ゲインチップを外部共振器機構に組み込み波長可変光源を構築した.結果,ゲイン材料にInAs/InGaAs量子ドットを用い広帯域利得を得ることで1.2μm-1.3μm帯で動作する広帯域波長可変光源の開発に成功した.

著者

藤岡 裕己 山本 直克 赤羽 浩一 川西 哲也 高井 裕司

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス (ISSN:09135685)

巻号頁・発行日

vol.109, no.403, pp.81-84, 2010-01-21

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レーザダイオードや発光ダイオードなどの光半導体デバイスにおいて、出力光の光波制御は光通信や計測分野において重要な課題である。我々は、デバイス表面への微細構造加工による光波制御を目的として新デバイス構造の検討を行っている。従来デバイスでは活性層上部に非常に厚いクラッド層を有しており、表面構造からデバイス内部を伝搬する光波へ有効な影響を与えるためには高アスペクト比な加工が必要であった。そこで、我々は、活性層上部のクラッド層を極端に薄くした半導体ハーフクラッド構造を提案し、低アスペクト比で簡便な表面微細加工による光波制御を目指す。本論文では半導体ハーフクラッド構造とその作製プロセスおよび、半導体ハーフクラッド光源のデバイス特性について報告する。

著者

藤岡 裕己 山本 直克 赤羽 浩一 川西 哲也 高井 裕司

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会技術研究報告. PN, フォトニックネットワーク (ISSN:09135685)

巻号頁・発行日

vol.109, no.401, pp.81-84, 2010-01-21

参考文献数

5

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レーザダイオードや発光ダイオードなどの光半導体デバイスにおいて、出力光の光波制御は光通信や計測分野において重要な課題である。我々は、デバイス表面への微細構造加工による光波制御を目的として新デバイス構造の検討を行っている。従来デバイスでは活性層上部に非常に厚いクラッド層を有しており、表面構造からデバイス内部を伝搬する光波へ有効な影響を与えるためには高アスペクト比な加工が必要であった。そこで、我々は、活性層上部のクラッド層を極端に薄くした半導体ハーフクラッド構造を提案し、低アスペクト比で簡便な表面微細加工による光波制御を目指す。本論文では半導体ハーフクラッド構造とその作製プロセスおよび、半導体ハーフクラッド光源のデバイス特性について報告する。