著者

山中 直明 西村 光弘 石黒 正揮 岡崎 義勝 川西 哲也 釣谷 剛宏 中尾 彰宏 原井 洋明 廣岡 俊彦 古川 英昭 宮澤 雅典 山本 直克 吉野 修一

出版者

The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers

雑誌

電子情報通信学会論文誌 B (ISSN:13444697)

巻号頁・発行日

vol.J104-B, no.3, pp.315-336, 2021-03-01

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2020年に我が国でも5G商用サービスが本格開始され,2021年の東京オリンピック・パラリンピックでは,5Gを応用したサービスのトライアルが行われる.一方,同時に将来の技術やニーズを先取りしたBeyond 5G/6Gの研究開発スタートの年となる.Beyond 5G/6Gを検討する際は,将来を予想して必要となるサービスを左手とするならば,ブレークスルーにより発展する基盤技術を右手として,それらを融合するネットワークアーキテクチャを面的に考え,同時に時間軸のステップを考える必要がある.そのため,総務省が主体となり「Beyond 5G時代の有線ネットワーク検討会」を発足させ,キャリア,国立研究機関,アカデミアに加え,本分野の代表的な電子情報通信学会研究専門委員会の委員長,コンソーシアムの主導者にも参加頂き,Beyond 5Gのオーバービューとブレークスルー技術等の取りまとめを行った.本論文では,そこで取りまとめた「ネットワークビジョン2030」を電子情報通信学会の多くの読者,研究者に提供することにより,自らのビジネスや研究へのヒントを得ると同時に,各分野の最新動向をフィードバック頂くことで,常に最新のビジョンへブラッシュアップすることを目指し,執筆を行った.

著者

吉岡 佑毅 山本 直克 赤羽 浩一 川西 哲也 外林 秀之 高井 裕司

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会技術研究報告. R, 信頼性 (ISSN:09135685)

巻号頁・発行日

vol.112, no.180, pp.51-56, 2012-08-16

参考文献数

11

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新たな光周波数資源の開拓は,将来の光情報通信容量拡大の基盤技術となる.我々は,光情報通信応用を目的とした新周波数帯域としてT-band (1000-1260nm)とO-band (1260-1360nm)に注目し,この帯域で動作する光ゲインデバイスの研究開発を推進している.今回,GaAs基板上にInAs/InGaAs量子ドットを積層させたものとInAs/InGaAs量子ドット上のギャップ層を制御し変調量子ドット構造を持たせた二種類の光ゲインチップを作製した.この光ゲインチップを外部共振器機構に組み込み波長可変光源を構築した.結果,ゲイン材料にInAs/InGaAs量子ドットを用い広帯域利得を得ることで1.2μm-1.3μm帯で動作する広帯域波長可変光源の開発に成功した.

著者

藤岡 裕己 山本 直克 赤羽 浩一 川西 哲也 高井 裕司

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス (ISSN:09135685)

巻号頁・発行日

vol.109, no.403, pp.81-84, 2010-01-21

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レーザダイオードや発光ダイオードなどの光半導体デバイスにおいて、出力光の光波制御は光通信や計測分野において重要な課題である。我々は、デバイス表面への微細構造加工による光波制御を目的として新デバイス構造の検討を行っている。従来デバイスでは活性層上部に非常に厚いクラッド層を有しており、表面構造からデバイス内部を伝搬する光波へ有効な影響を与えるためには高アスペクト比な加工が必要であった。そこで、我々は、活性層上部のクラッド層を極端に薄くした半導体ハーフクラッド構造を提案し、低アスペクト比で簡便な表面微細加工による光波制御を目指す。本論文では半導体ハーフクラッド構造とその作製プロセスおよび、半導体ハーフクラッド光源のデバイス特性について報告する。

著者

藤岡 裕己 山本 直克 赤羽 浩一 川西 哲也 高井 裕司

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会技術研究報告. PN, フォトニックネットワーク (ISSN:09135685)

巻号頁・発行日

vol.109, no.401, pp.81-84, 2010-01-21

参考文献数

5

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レーザダイオードや発光ダイオードなどの光半導体デバイスにおいて、出力光の光波制御は光通信や計測分野において重要な課題である。我々は、デバイス表面への微細構造加工による光波制御を目的として新デバイス構造の検討を行っている。従来デバイスでは活性層上部に非常に厚いクラッド層を有しており、表面構造からデバイス内部を伝搬する光波へ有効な影響を与えるためには高アスペクト比な加工が必要であった。そこで、我々は、活性層上部のクラッド層を極端に薄くした半導体ハーフクラッド構造を提案し、低アスペクト比で簡便な表面微細加工による光波制御を目指す。本論文では半導体ハーフクラッド構造とその作製プロセスおよび、半導体ハーフクラッド光源のデバイス特性について報告する。

著者

川西 哲也 佐々木 雅英 及川 哲 井筒 雅之

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会技術研究報告. OPE, 光エレクトロニクス (ISSN:09135685)

巻号頁・発行日

vol.100, no.639, pp.7-12, 2001-02-16

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往復動作逓倍変調の原理確認と、光周波数変換への応用を目指して、往復動作逓倍変調による光周波数変換を提案し、光変調器に供給する電気信号の周波数の6倍分の光周波数シフトの実験結果を報告する。周波数30GHzの高周波電気信号による180GHzの光周波数シフトの場合で、従来の光変調器の非線形性による高調波発生に比べ、約250倍の強度の光出力が得られた。