著者

杉井 信之 土屋 龍太 石垣 隆士 森田 祐介 吉元 広行 鳥居 和功 木村 紳一郎

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス (ISSN:09135685)

巻号頁・発行日

vol.108, no.407, pp.33-36, 2009-01-19

参考文献数

9

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薄膜BOX-SOI(SOTB)は,低不純物濃度チャネルでランダム不純物統計揺らぎ(Random dopant fluctuation: RDF)が小さいために,平面型CMOSとしては最もしきい値電圧(V_<th>)ばらつきが小さい.本研究では,RDFばらつきを低下させた後でのばらつき要因について検討し,より低いばらつきを実現するために必要な点を議論する.短チャネル効果抑制とシリコン(SOI)膜厚の均一性が重要である.また,よく指摘されている,PMOSに比べてNMOSのばらつきが大きい原因がチャネル不純物による可能性が高いことを示す.

著者

笹子 佳孝 木下 勝治 森川 貴博 黒土 健三 半澤 悟 峰 利之 島 明生 藤崎 芳久 守谷 浩志 高浦 則克 鳥居 和功

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会技術研究報告. MR, 磁気記録 (ISSN:09135685)

巻号頁・発行日

vol.109, no.222, pp.31-35, 2009-10-01

参考文献数

4

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次世代の不揮発性メモリとして最も有望な相変化メモリを安価なポリシリコンダイオードと組合せたメモリセルの試作・電気特性評価を行った。低接触抵抗で駆動電流が8MA/cm^2以上と大きく、逆バイアスオフ電流が100A/cm^2以下と小さいポリシリコンダイオードを開発し、クロスポイント型相変化メモリのセル面積を4F^2(F:デザインルール)に縮小する見通しを得た。本技術により、相変化メモリチップの低コスト化が可能となる。