著者

野中 紀彦 岩崎 富生 守谷 浩志 谷江 尚史 池田 靖

出版者

一般社団法人 日本機械学会

雑誌

日本機械学会論文集 (ISSN:21879761)

巻号頁・発行日

vol.81, no.824, pp.15-00018-15-00018, 2015 (Released:2015-04-25)

参考文献数

31

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A Kriging-based method for efficiently searching materials was used to select additive elements in lead-free solders that are effective for suppressing the grain-boundary diffusion, which is the cause of smaller breaking elongation than lead-contained solders. By using the idea of the L9-orthogonal-array design methodology, we selected nine combinations of additive elements, and investigated the dependence of diffusion coefficients on four parameters (the atomic radius of the 1st additive, the cohesive energy of the 1st additive, the atomic radius of the 2nd additive, and the cohesive energy of the 2nd additive). The diffusion coefficients were calculated by using molecular-dynamics simulations. The calculation results showed that the diffusion can be suppressed when the atomic radii of the 1st and 2nd additives are close to that of tin (Sn), and when the cohesive energies of the 1st and 2nd additives are smaller than that of tin. According to these conditions, we found that two additives selected from silver (Ag), indium (In), and bismuth (Bi) are effective for suppressing the diffusion and for increasing the breaking elongation. Because these results were confirmed by tensile deformation test, the Kriging-based method is considered to be practical for effectively searching materials.

著者

笹子 佳孝 木下 勝治 森川 貴博 黒土 健三 半澤 悟 峰 利之 島 明生 藤崎 芳久 守谷 浩志 高浦 則克 鳥居 和功

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会技術研究報告. MR, 磁気記録 (ISSN:09135685)

巻号頁・発行日

vol.109, no.222, pp.31-35, 2009-10-01

参考文献数

4

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次世代の不揮発性メモリとして最も有望な相変化メモリを安価なポリシリコンダイオードと組合せたメモリセルの試作・電気特性評価を行った。低接触抵抗で駆動電流が8MA/cm^2以上と大きく、逆バイアスオフ電流が100A/cm^2以下と小さいポリシリコンダイオードを開発し、クロスポイント型相変化メモリのセル面積を4F^2(F:デザインルール)に縮小する見通しを得た。本技術により、相変化メモリチップの低コスト化が可能となる。