Ceek.jp Altmetrics (α ver.)
文献ランキング
合計
1ヶ月間
1週間
1日間
文献カレンダー
新着文献
すべて
2 Users
5 Users
10 Users
新着投稿
Yahoo!知恵袋
レファレンス協同データベース
教えて!goo
はてなブックマーク
OKWave
Twitter
Wikipedia
検索
ウェブ検索
ニュース検索
ホーム
文献一覧: Ali Baratov (著者)
1件
2
0
0
0
OA
ミストCVD法により作製したAl2O3薄膜とGaN系MIS-HEMTへの応用
著者
本山 智洋
Ali Baratov
Rui Shan Low
浦野 駿
中村 有水
葛原 正明
Joel T. Asubar
谷田部 然治
出版者
公益社団法人 日本表面真空学会
雑誌
日本表面真空学会学術講演会要旨集 2021年日本表面真空学会学術講演会
(
ISSN:24348589
)
巻号頁・発行日
pp.2Ca10S, 2021 (Released:2021-12-24)
GaN系パワー・高周波デバイスのゲート絶縁膜として有望なAl2O3薄膜を低コストな酸化物薄膜形成手法であるミストCVD法により作製し評価した。ミストCVD法で作製したAl2O3薄膜は禁制帯幅など、ALD法で作製したAl2O3薄膜と同等の物性値を示した。またAl2O3/AlGaN/GaNキャパシタの容量-電圧特性から、良好なAl2O3/AlGaN界面が形成されていることが示唆された。