2 0 0 0 OA 窒化物半導体異種接合の界面評価と制御
- 著者
- 橋詰 保 谷田部 然治 佐藤 威友
- 出版者
- 公益社団法人 日本表面科学会
- 雑誌
- 表面科学 (ISSN:03885321)
- 巻号頁・発行日
- vol.35, no.2, pp.96-101, 2014-02-10 (Released:2014-02-19)
- 参考文献数
- 13
Interface properties of GaN-based heterostructures have been characterized. Schottky contacts on dry-etched n-GaN layers showed leaky I-V characteristics. An anneal process at 400°C was effective in recovering the rectifying characteristics. To characterize interface properties of Al2O3 insulated gates on AlGaN/GaN structures with and without the inductively coupled plasma (ICP) etching of AlGaN, we have developed a C-V calculation method taking into account electronic state charges at the Al2O3/AlGaN interface and a photoassisted C-V technique utilizing photons with energies less than the bandgap of AlGaN. It was found that the ICP etching caused the monolayer-level interface roughness, disorder of the chemical bonds and formation of various types of defect complexes at the AlGaN surface, resulting in poor C-V characteristics due to high-density interface states at the Al2O3/AlGaN interface.
2 0 0 0 OA ミストCVD法により作製したAl2O3薄膜とGaN系MIS-HEMTへの応用
- 著者
- 本山 智洋 Ali Baratov Rui Shan Low 浦野 駿 中村 有水 葛原 正明 Joel T. Asubar 谷田部 然治
- 出版者
- 公益社団法人 日本表面真空学会
- 雑誌
- 日本表面真空学会学術講演会要旨集 2021年日本表面真空学会学術講演会 (ISSN:24348589)
- 巻号頁・発行日
- pp.2Ca10S, 2021 (Released:2021-12-24)
GaN系パワー・高周波デバイスのゲート絶縁膜として有望なAl2O3薄膜を低コストな酸化物薄膜形成手法であるミストCVD法により作製し評価した。ミストCVD法で作製したAl2O3薄膜は禁制帯幅など、ALD法で作製したAl2O3薄膜と同等の物性値を示した。またAl2O3/AlGaN/GaNキャパシタの容量-電圧特性から、良好なAl2O3/AlGaN界面が形成されていることが示唆された。