3 0 0 0 OA JIS Z 8126-1 真空技術一般用語の改正
- 著者
- 吉田 肇
- 出版者
- 公益社団法人 日本表面真空学会
- 雑誌
- 日本表面真空学会学術講演会要旨集 2021年日本表面真空学会学術講演会 (ISSN:24348589)
- 巻号頁・発行日
- pp.1Ep13, 2021 (Released:2021-12-24)
2019年に、真空技術の一般用語の定義を規定したISO規格が38年ぶりに改正された。日本表面真空学会 規格標準化委員会と日本真空工業会 規格標準委員会が合同で組織する規格標準合同検討委員会では、このISO規格の改正に対応するため、JIS Z 8126-1の改正作業を行った。改正されたJISは、2021年9月に発行される。気体の標準状態や高真空の定義など、いくつか重要な改正点があるため紹介する。
2 0 0 0 OA ミストCVD法により作製したAl2O3薄膜とGaN系MIS-HEMTへの応用
- 著者
- 本山 智洋 Ali Baratov Rui Shan Low 浦野 駿 中村 有水 葛原 正明 Joel T. Asubar 谷田部 然治
- 出版者
- 公益社団法人 日本表面真空学会
- 雑誌
- 日本表面真空学会学術講演会要旨集 2021年日本表面真空学会学術講演会 (ISSN:24348589)
- 巻号頁・発行日
- pp.2Ca10S, 2021 (Released:2021-12-24)
GaN系パワー・高周波デバイスのゲート絶縁膜として有望なAl2O3薄膜を低コストな酸化物薄膜形成手法であるミストCVD法により作製し評価した。ミストCVD法で作製したAl2O3薄膜は禁制帯幅など、ALD法で作製したAl2O3薄膜と同等の物性値を示した。またAl2O3/AlGaN/GaNキャパシタの容量-電圧特性から、良好なAl2O3/AlGaN界面が形成されていることが示唆された。