著者

野口 亮 黒田 健太 河村 光晶 矢治 光一郎 原沢 あゆみ 飯盛 拓嗣 小森 文夫 辛 埴 尾崎 泰助 近藤 猛

出版者

公益社団法人 日本表面真空学会

雑誌

日本表面真空学会学術講演会要旨集 2019年日本表面真空学会学術講演会 (ISSN:24348589)

巻号頁・発行日

pp.3Ha04S, 2019 (Released:2019-10-28)

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非磁性のスピン分裂が生じるラシュバ効果は、スピントロニクスへの応用が期待されており、様々な物質でその発現が調べられている。本研究で我々は、Ag/Au(111)薄膜の量子井戸バンドにおいて膜厚と量子準位に依存したスピン分裂をレーザースピン分解ARPESによって見出した。さらに第一原理計算により、この振る舞いは量子閉じ込めによる電荷密度分布の変化によって説明できることを明らかにした。

著者

吉田 肇

出版者

公益社団法人 日本表面真空学会

雑誌

日本表面真空学会学術講演会要旨集 2021年日本表面真空学会学術講演会 (ISSN:24348589)

巻号頁・発行日

pp.1Ep13, 2021 (Released:2021-12-24)

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2019年に、真空技術の一般用語の定義を規定したISO規格が38年ぶりに改正された。日本表面真空学会 規格標準化委員会と日本真空工業会 規格標準委員会が合同で組織する規格標準合同検討委員会では、このISO規格の改正に対応するため、JIS Z 8126-1の改正作業を行った。改正されたJISは、2021年9月に発行される。気体の標準状態や高真空の定義など、いくつか重要な改正点があるため紹介する。

著者

本山 智洋 Ali Baratov Rui Shan Low 浦野 駿 中村 有水 葛原 正明 Joel T. Asubar 谷田部 然治

出版者

公益社団法人 日本表面真空学会

雑誌

日本表面真空学会学術講演会要旨集 2021年日本表面真空学会学術講演会 (ISSN:24348589)

巻号頁・発行日

pp.2Ca10S, 2021 (Released:2021-12-24)

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GaN系パワー・高周波デバイスのゲート絶縁膜として有望なAl2O3薄膜を低コストな酸化物薄膜形成手法であるミストCVD法により作製し評価した。ミストCVD法で作製したAl2O3薄膜は禁制帯幅など、ALD法で作製したAl2O3薄膜と同等の物性値を示した。またAl2O3/AlGaN/GaNキャパシタの容量-電圧特性から、良好なAl2O3/AlGaN界面が形成されていることが示唆された。

著者

原田 研 高橋 由夫 明石 哲也 児玉 哲司 嶌田 惠子 小野 義正 森 茂生

出版者

公益社団法人 日本表面真空学会

雑誌

日本表面真空学会学術講演会要旨集 2020年日本表面真空学会学術講演会 (ISSN:24348589)

巻号頁・発行日

pp.79, 2020 (Released:2020-12-23)

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位相変調を伴う二重スリット干渉実験について発表します。