著者

高橋 庸哉 遠藤 辰雄 若濱 五郎 福田 矩彦

出版者

日本結晶成長学会

雑誌

日本結晶成長学会誌 (ISSN:03856275)

巻号頁・発行日

vol.24, no.2, 1997-07-01

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The characteristics of snow crystal growth by vapor diffusion at water saturation and in free fall were quantitatively investigated in a vertical supercooled cloud tunnel for periods up to 30 min at temperatures from -3 to -23℃.

著者

相原 茂夫 森田 雄平

出版者

日本結晶成長学会

雑誌

日本結晶成長学会誌 (ISSN:03856275)

巻号頁・発行日

vol.21, no.4, pp.467-472, 1994-09-25

被引用文献数

2

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Protein single crystals of diffraction quality should be prepared for determination of three dimensional structure of whole protein molecule by X-ray crystallography. Microgravity environment obtained by space flights using space shuttle and space station has been ascertained to be convenient for protein crystallization since the first experiment by Littke in 1983. In space microgravity, there are no sedimentation and no convection of prtein and solute molecules in the solution. Also, crystal growth slowly proceeds by diffusion control nearby where crystal nuclei grew. Several times of our space experiments regarding protein crystallization are explained, and the space-grown crystals are emphasized to be of better difrraction quality and of less mosaicity. It is, therefore, expected that these characteristics of the space-grown crystals will contribute to the establishment of the time-resolved X-ray crystallograpy by the Laue method.

著者

木下 恭一

出版者

日本結晶成長学会

雑誌

日本結晶成長学会誌 (ISSN:03856275)

巻号頁・発行日

vol.22, no.3, pp.245-248, 1995-07-10

参考文献数

10

著者

石田 大 梅下 尚己 菅原 卓也

出版者

日本結晶成長学会

雑誌

日本結晶成長学会誌 (ISSN:03856275)

巻号頁・発行日

vol.36, no.4, pp.296-299, 2010-01

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世界に目を向けると,太陽電池の主要用途は,単位発電量あたりのコストが重視される大規模な太陽光発電所向けであり,大面積薄膜シリコンパネルが採用される機会が多くなっている.エリコンソーラー社においては,高効率・高品位なパネルを低コストで生産するためのノウハウが集約された「大面積薄膜シリコン太陽電池の一貫製造ライン」を提供している.今回は,そのキーテクノロジーであるシリコン薄膜の成膜技術と透明電極形成技術を中心に紹介し,エリコンソーラー社の高い技術力とそれに支えられた一貫製造ラインの魅力について述べる.

著者

砂川 一郎

出版者

日本結晶成長学会

雑誌

日本結晶成長学会誌 (ISSN:03856275)

巻号頁・発行日

vol.16, no.3, pp.207-208, 1990-03-25

著者

西永 頌 西森 茂樹 平本 俊郎 鷲山 昌子

出版者

日本結晶成長学会

雑誌

日本結晶成長学会誌 (ISSN:03856275)

巻号頁・発行日

vol.12, no.3, 1985-07-05

著者

西永 頌 数野 忠雄 反保 敏治 小出 二郎 朴 康司 中村 哲郎 安田 幸夫

出版者

日本結晶成長学会

雑誌

日本結晶成長学会誌 (ISSN:03856275)

巻号頁・発行日

vol.8, no.2, 1981-07-15

著者

Muller Georg

出版者

日本結晶成長学会

雑誌

日本結晶成長学会誌 (ISSN:03856275)

巻号頁・発行日

vol.26, no.4, pp.215-216, 1999-09-30

著者

鶴迫 貴司 鈴木 仁志 齋藤 嘉夫 墻内 千尋

出版者

日本結晶成長学会

雑誌

日本結晶成長学会誌 (ISSN:03856275)

巻号頁・発行日

vol.30, no.2, pp.111-116, 2003-06-25

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著者

大平 重男 吉岡 正行 菅原 孝昌 中嶋 一雄 宍戸 統悦

出版者

日本結晶成長学会

雑誌

日本結晶成長学会誌 (ISSN:03856275)

巻号頁・発行日

vol.32, no.1, pp.10-14, 2005-03-31

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β-Ga_2O_3単結晶を育成し,その表面を窒化処理することでGaNを形成し,窒化物系半導体膜成長用基板とする方法について検討した結果を紹介する.FZ法で育成したβ-Ga_2O_3単結晶を研磨加工し,その(100)面をNH_3ガス中で窒化処理(850℃,5h)することで,β-Ga_2O_3単結晶表面には多結晶の六方晶GaNが,数10nmの厚さ形成されることを確認した.高分解能TEMによる断面観察,電子回折から,β-Ga_2O_3単結晶表面上にはランダムに配向した単結晶のGaN粒子が複数集合し,そのサイズは数nm〜数10nm,膜厚は数10nmであること,また作製されたGaN粒子内部には転位や欠陥は観察されないことがわかった.本手法は新しいバルクGaN基板作製法として期待される.

著者

木下 恭一

出版者

日本結晶成長学会

雑誌

日本結晶成長学会誌 (ISSN:03856275)

巻号頁・発行日

vol.29, no.2, 2002-07-01

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We have developed a new crystal growth method named as the traveling liquidus-zone method for growing homogeneous mixed crystals. Principle of this method and experimental results on In_<0.3>Gs_<0.7>As crystal growth are reviewed.

著者

小川 智哉

出版者

日本結晶成長学会

雑誌

日本結晶成長学会誌 (ISSN:03856275)

巻号頁・発行日

vol.35, no.2, 2008-07

著者

灘 浩樹

出版者

日本結晶成長学会

雑誌

日本結晶成長学会誌 (ISSN:03856275)

巻号頁・発行日

vol.35, no.3, pp.161-170, 2008

参考文献数

64

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マクロ分子が関与する結晶成長の一例として,不凍タンパク質による氷の成長抑制現象を取り上げ,それに関する最近の研究ついて解説する.最近の計算機シミュレーション研究により,成長する氷界面に吸着した不凍タンパク質の挙動やその周辺における氷の成長カイネティクスが分子レベルで解析され,不凍タンパク質による氷の成長抑制機構の理解へまた一歩近づいた.しかし,まだわからないことも沢山ある.今後行われるべき不凍タンパク質の研究に加え,将来トピックスとなるであろう関連研究についても議論したい.

著者

任 紅文 西永 頌

出版者

日本結晶成長学会

雑誌

日本結晶成長学会誌 (ISSN:03856275)

巻号頁・発行日

vol.22, no.3, 1995-07-10

著者

西永 頌 笹岡 千秋

出版者

日本結晶成長学会

雑誌

日本結晶成長学会誌 (ISSN:03856275)

巻号頁・発行日

vol.11, no.1, 1984-07-05

著者

西永 頌 朴 康司 笹岡 千秋

出版者

日本結晶成長学会

雑誌

日本結晶成長学会誌 (ISSN:03856275)

巻号頁・発行日

vol.13, no.2, pp.136-143, 1986-10-15

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The behavior of LPE macrostep during the growth was studied by using photoluminescence image and spatially resolved photoluminescence taking GaP doped with zinc, oxygen and nitrogen as examples. It was shown that the impurities were doped much more heavily on the macrostep terrace than on the riser. To understand the impurity inhomogeneity around the macrostep, the interface supersaturation was calculated theoretically around the macrostep by using conformal mapping. The calculation showed that the interfacial supersaturation was very small such as 0.01% and this led to the conclusion that the rejection of the impurity from the growing crystal occurs not at the kink or on the surface of the growth step but at the edge of the step.