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  2. 文献一覧: 総合研究所年報 (雑誌)
  3. 4件

1 0 0 0 シリコン超微粒子薄膜の多層積層構造による可視発光デバイスの研究

著者
高井 裕司 山本 直克 山崎 史敬
出版者
東京電機大学総合研究所
雑誌
総合研究所年報
巻号頁・発行日
no.20, pp.83-88, 2000
  • 2014-11-27 22:53:07
  • 1 + 0 Twitter
  • https://ci.nii.ac.jp/naid/40006504640

1 0 0 0 2元部分イオン化蒸着によるシリコン系赤外発光デバイスの開発

著者
高井 裕司
出版者
東京電機大学総合研究所
雑誌
総合研究所年報
巻号頁・発行日
no.24, pp.95-98, 2004
  • 2014-11-27 22:51:11
  • 1 + 0 Twitter
  • https://ci.nii.ac.jp/naid/40007127893

1 0 0 0 部分イオン化エピタキシャル成長法によるβ-鉄シリサイドの低温結晶成長

著者
高井 裕司
出版者
東京電機大学総合研究所
雑誌
総合研究所年報
巻号頁・発行日
no.22, pp.31-36, 2002
  • 2014-11-25 22:40:52
  • 1 + 0 Twitter
  • https://ci.nii.ac.jp/naid/40006504715

1 0 0 0 環境半導体を用いたシリコン系ダブルヘテロ構造の開発

著者
高井 裕司
出版者
東京電機大学総合研究所
雑誌
総合研究所年報
巻号頁・発行日
no.26, pp.49-54, 2006
  • 2012-09-30 09:33:48
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  • https://ci.nii.ac.jp/naid/40015613550
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