著者

森 龍丸 藤原 裕司 前田 浩二 神保 睦子 小林 正

出版者

公益社団法人 日本表面真空学会

雑誌

表面科学学術講演会要旨集 2016年真空・表面科学合同講演会

巻号頁・発行日

pp.143, 2016 (Released:2016-11-29)

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グラフェンは様々な分野で注目を集めているが,我々は磁気特性に注目している.本研究では,多層の酸化グラフェンを還元し,各種処理を施し,グラフェンの磁性の変化を調査した.アルゴン雰囲気600度で還元された試料は反強磁性であったが,水素含有雰囲気600度で還元された試料の一部は強磁性的特徴を示した.また,超音波処理を行うことで磁気モーメントの増大が観測されており,強磁性グラフェンの存在が示唆された.

著者

松山 治薫 田中 崇太郎 赤石 暁 中村 淳

出版者

公益社団法人 日本表面真空学会

雑誌

表面科学学術講演会要旨集 2016年真空・表面科学合同講演会

巻号頁・発行日

pp.64, 2016 (Released:2016-11-29)

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密度汎関数理論に基づく第一原理計算を用いて、窒素ドープグラフェンナノクラスターの酸素還元反応に対する触媒性 (最大電極電位や反応経路の選択性) を評価した。窒素ドープグラフェンナノクラスターではエッジ形状 (ジグザグ, アームチェア) によらず、直接4電子反応を選択的に起こせることが示唆された。またエッジよりも面内に窒素が位置している方が反応サイトによる最大電極電位のばらつきが小さくなることが示された。

著者

須藤 正喜 姚 永昭 菅原 義弘 石川 由加里 加藤 正史

出版者

公益社団法人 日本表面真空学会

雑誌

表面科学学術講演会要旨集 2016年真空・表面科学合同講演会

巻号頁・発行日

pp.399, 2016 (Released:2016-11-29)

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SiCトレンチ型バイポーラデバイスにおいて酸化膜/(11-20)界面近傍の基底面転位の挙動を観察し、その構造を明らかにすることはトレンチ型デバイスの信頼性を向上する上で重要である。本研究では(11-20)A面のn型4H-SiCにおいて電子線誘起電流法、カソードルミネッセンス測定を行うことにより転位と積層欠陥の観察を行い、透過型電子顕微鏡による構造解析を行った。