著者
野本 豊和 八木 伸也 アーリップ クトゥルク 曽田 一雄 橋本 英二 谷口 雅樹
出版者
公益社団法人 日本表面科学会
雑誌
表面科学講演大会講演要旨集 第25回表面科学講演大会
巻号頁・発行日
pp.118, 2005 (Released:2005-11-14)

Ar+スパッタ後、分子を吸着させる前の金属基板加熱温度を制御し、表面粗さを変化させた。任意の加熱温度での表面粗さを原子間力顕微鏡 (AFM)で測定し、90 Kにおける(CH3)2Sの吸着反応及び構造をX線光電子分光(XPS)及び吸収端近傍X線吸収微細構造(NEXAFS)を用いて調べたところ、吸着種及び構造に基板表面粗さに依存した変化が得られた。
著者
三田村 茂宏 坂前 浩 河合 政夫 藤田 真 林 広司 副島 啓義
出版者
公益社団法人 日本表面科学会
雑誌
表面科学講演大会講演要旨集 第25回表面科学講演大会
巻号頁・発行日
pp.107, 2005 (Released:2005-11-14)

これまで結晶型電子源としてはLaB6がもっとも優れているとされていた。 しかし、その後の結晶製作技術、測定技術、真空技術の進歩の中でCeB6の特性がLaB6の特性に劣らないものであることが見出された。 本発表ではLaB6とCeB6の特性比較を行った上で、CeB6を電子線プローブマイクロアナライザー(EPMA)に搭載したときの特性評価に関して報告する