著者
武田 亘弘
出版者
群馬大学
雑誌
基盤研究(C)
巻号頁・発行日
2007

新規三脚型四座配位子 [o-RSC_6H_4]_3P (R = i-Pr, t-Bu) を用いて二価10族金属 (Ni, Pd, Pt) 錯体を合成し,置換基Rおよび金属の違いが錯体の構造に与える影響を明らかにした。さらに,新規三脚型四座配位子(o-RSCH_2C_6H_4)_3Si- (R = i-Pr, t-Bu) を有するIr(III)およびPt(II)錯体の合成と構造決定に成功した。

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こんな研究ありました:小分子の活性化を指向した新規ポリカルコゲノエーテル配位子の開発とその応用(武田 亘弘) http://t.co/AMiBDrZEfA

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