著者

吉田 博

出版者

公益社団法人 応用物理学会

雑誌

応用物理 (ISSN:03698009)

巻号頁・発行日

vol.61, no.8, pp.809-812, 1992-08-10 (Released:2009-02-05)

参考文献数

9

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バルク結晶では混じり合わないような二種類の化合物半導体を,中間の格子定数をもつ化合物半導体の基板上にエピタキシャル気相成長させることによって,自然界には存在しなかった新しい規則半導体合金を作成するとができる.これらの結晶成長の微視的な起源を,第一原理からの電子状態計算に基づいて解説する.