著者

奥村 次徳

出版者

公益社団法人 応用物理学会

雑誌

応用物理 (ISSN:03698009)

巻号頁・発行日

vol.68, no.9, pp.1054-1059, 1999-09-10 (Released:2009-02-05)

参考文献数

34

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半導体工学における最も本質的な概念であり,最も重要な技術である不純物ドーピングについて,その基礎を講義する.ドーピングは,母体を構成ずる元素を,原子価の異なる元素で置換することにより,キャリア密度をはじめとする物性をコントロールする技術である.本稿では,不純物原子に対する水素原子様モデルについて述べ,比誘電率・有効質量との関係を論じる.さらに,高濃度ドーピングやドーパントの不活性化などの諸問題について概説する.