6 0 0 0 OA 半導体への不純物ドーピング
- 著者
- 奥村 次徳
- 出版者
- 公益社団法人 応用物理学会
- 雑誌
- 応用物理 (ISSN:03698009)
- 巻号頁・発行日
- vol.68, no.9, pp.1054-1059, 1999-09-10 (Released:2009-02-05)
- 参考文献数
- 34
半導体工学における最も本質的な概念であり,最も重要な技術である不純物ドーピングについて,その基礎を講義する.ドーピングは,母体を構成ずる元素を,原子価の異なる元素で置換することにより,キャリア密度をはじめとする物性をコントロールする技術である.本稿では,不純物原子に対する水素原子様モデルについて述べ,比誘電率・有効質量との関係を論じる.さらに,高濃度ドーピングやドーパントの不活性化などの諸問題について概説する.
1 0 0 0 OA 「ワイドギャップ半導体」特集号によせて
- 著者
- 奥村 次徳
- 出版者
- 一般社団法人 電気学会
- 雑誌
- 電気学会論文誌C(電子・情報・システム部門誌) (ISSN:03854221)
- 巻号頁・発行日
- vol.122, no.1, pp.1-1, 2002-01-01 (Released:2008-12-19)