著者

鄭 期太 花泉 修 柏田 伸也 シュアイブ イブラヒム 川瀬 賢司 川上 彰二郎

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会技術研究報告. OPE, 光エレクトロニクス

巻号頁・発行日

vol.95, no.377, pp.79-84, 1995-11-21

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MBE法により光励起面型光増幅器を作製した。サンプルは歪み補償したInGaAs well/InGaAlAs barrierの100周期のMQWである。励起光には波長1.45μmのLDを用いた。測定結果、長波長帯面型光増幅器としては初めて2dBを越す1パス・ゲイン(2.4dB)を得た。また、ファブリ・ペロー共振器構造にすることによってピーク・ゲイン8dB、動作波長帯域10nmを越す特性を持つ面型光増幅器の設計が可能であることを示した。