著者

鄭 期太 花泉 修 柏田 伸也 シュアイブ イブラヒム 川瀬 賢司 川上 彰二郎

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会技術研究報告. OPE, 光エレクトロニクス

巻号頁・発行日

vol.95, no.377, pp.79-84, 1995-11-21

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MBE法により光励起面型光増幅器を作製した。サンプルは歪み補償したInGaAs well/InGaAlAs barrierの100周期のMQWである。励起光には波長1.45μmのLDを用いた。測定結果、長波長帯面型光増幅器としては初めて2dBを越す1パス・ゲイン(2.4dB)を得た。また、ファブリ・ペロー共振器構造にすることによってピーク・ゲイン8dB、動作波長帯域10nmを越す特性を持つ面型光増幅器の設計が可能であることを示した。

著者

鄭 期太 柏田 伸也 花泉 修 シュアイブ イブラヒム 川瀬 賢司 川上 彰二郎

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会総合大会講演論文集

巻号頁・発行日

vol.1996, no.1, 1996-03-11

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加入者系までの光ファイバ・ネットワーク化を実現するためには光分岐などによる損失の補償ができることと共に簡単な構造で大量生産が容易な光増幅器の開発が要求される。これには図1のような面型光増幅器が適している。今回、十分な1パス・ゲインを持つことが理論的に示されている面型光増幅器を100周期のMQWで作製した。また、信号光の多重反射によってさらに高いゲインと十分な動作波長帯域を持たせるためのFPI(Fabry-Perot Interferometer)構造の面型光増幅器の設計と作製を行ったので報告する。

著者

鄭 期太 花泉 修 柏田 伸也 シュアイブ イブラヒム 川上 彰二郎

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集

巻号頁・発行日

vol.1995, no.1, 1995-09-05

被引用文献数

1

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光ISDN等の光ネットワーク構築のためには光分岐などによる損失の補償ができることと共に簡単な構造で大量生産が容易な光増幅器の開発が要求される。これには図1に示す様な面型光増幅器が適している。今回、極めて簡単な構造でファイバ集積化が可能な光励起MQW面型光増幅器の設計と作製を行った。その結果、我々の知る限り光励起面型光増幅器としては初めて増幅特性が得られたので報告する。

著者

川上 彰二郎 花泉 修 佐藤 尚 大寺 康夫 川嶋 貴之

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会論文誌. C-I, エレクトロニクス, I-光・波動 (ISSN:09151893)

巻号頁・発行日

vol.80, no.6, pp.296-297, 1997-06-25

被引用文献数

20

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2種類の透明媒質からなるサブミクロン周期3次元構造を初めて作製し, 光学的に観察した結果について報告する. 材料系はSi(n=3.26) とSiO_2(n=1.46) であり, バイアススパッタリング法によって凹凸パターンを保存しながら積層することができた. 3次元周期構造部分のパスバンドとストップバンドが1次元のみの周期構造部分に対して大きく変化している様子が確認された.

著者

川上 彰二郎 大寺 康夫 佐藤 尚 花泉 修 ペンドリー J.B. ラッセル P.st.J.

出版者

東北大学

雑誌

基盤研究(B)

巻号頁・発行日

1998

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1.偏光分離素子の高性能化単位セル構造の最適化により,消光比,動作波長域,斜入射特性を改善した。また,ARコートにより反射損失を低減させることにより,挿入損失を低減した。2.可視域フォトニック結晶の創生TiO_2/SiO_2を用いた可視域フォトニック結晶を作製した。さらに,これを用いて,複屈折性を利用した波長板や回折格子型偏光分離素子を試作し,動作を確認した。3.バンドギャップ拡大の研究自己クローニング法による変調杉綾と垂直孔形成により,完全バンドギャップが得られることを理論的に示した。さらに,これを実現するために反応性エッチングを含んだプロセスを提案し,原理的に可能であることを実験により示した。4.新しい導波路構造の提案・設計・解析新たに,格子定数・格子方位変調型の導波路構造を提案し,設計、解析を行い,その構造の有効性を確認した。これらは,自己クローニングのみで面内導波路が形成できるという利点を持つ。5.機能性材料とフォトニック結晶の複合技術の開発研究II VI族及びIII V族化合物半導体として,それぞれCdS,InGaAlAs系半導体を自己クローニング型フォトニック結晶と複合させるプロセスを開発し,発光特性の評価を行った。

著者

花泉 修 本島 邦行

出版者

群馬大学

雑誌

基盤研究(A)

巻号頁・発行日

2002

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まず、電子ビーム露光やエピタキシャル成長を伴わず、二重干渉露光と高周波スパッタリングのみという非常に簡便なプロセスにより、硫化カドミウム(CdS)系2次元フォトごック結晶を形成した。作製されたフォトニック結晶の面内のパターンは三角格子で、格子間隔は610nmである。膜面に垂直な方向のフォトルミネッセンス(PL)スペクトルは525nm近傍にピークを持ち、半値前幅(FWHM)が48nmに狭窄化されていることが分かった。非常に簡単な構造で、詳細な設計や調整なしに、目標であったFWHMが50nm程度の狭窄化が実現できた。次に、機能材料から成る3次元フォトニック結晶構造を実現するための第一のステップとして、InP基板上で、横方向を3次元フォトニック結晶で閉じ込められた領域に半導体活性層を選択エピタキシャル成長させるプロセスを開発した。すなわち、InP基板上で、ドライエッチングにより3次元フォトニック結晶に孔を形成し、そこにInGaAs/InGaAlAs系多重量子井戸(MQW)活性層を選択エピタキシャル成長させた。また、主にフォトニック結晶層を横方向に伝搬した自然放出光のスペクトルを測定し、偏波依存性があることを確認した。最後に、自己クローニング法と整合性の良い新しい発光材料の開発を行った。これは、結果が予想されていたものではなく、本研究遂行中に偶然発見されたものである。すなわち、自己クローニング法と同じrfスパッタでアニールなしのプロセスでSiナノクリスタルを形成し、白色や青色の発光を得ることができた。