著者
鄭 期太 花泉 修 柏田 伸也 シュアイブ イブラヒム 川瀬 賢司 川上 彰二郎
出版者
一般社団法人電子情報通信学会
雑誌
電子情報通信学会技術研究報告. OPE, 光エレクトロニクス
巻号頁・発行日
vol.95, no.377, pp.79-84, 1995-11-21

MBE法により光励起面型光増幅器を作製した。サンプルは歪み補償したInGaAs well/InGaAlAs barrierの100周期のMQWである。励起光には波長1.45μmのLDを用いた。測定結果、長波長帯面型光増幅器としては初めて2dBを越す1パス・ゲイン(2.4dB)を得た。また、ファブリ・ペロー共振器構造にすることによってピーク・ゲイン8dB、動作波長帯域10nmを越す特性を持つ面型光増幅器の設計が可能であることを示した。
著者
鄭 期太 柏田 伸也 花泉 修 シュアイブ イブラヒム 川瀬 賢司 川上 彰二郎
出版者
一般社団法人電子情報通信学会
雑誌
電子情報通信学会総合大会講演論文集
巻号頁・発行日
vol.1996, no.1, 1996-03-11

加入者系までの光ファイバ・ネットワーク化を実現するためには光分岐などによる損失の補償ができることと共に簡単な構造で大量生産が容易な光増幅器の開発が要求される。これには図1のような面型光増幅器が適している。今回、十分な1パス・ゲインを持つことが理論的に示されている面型光増幅器を100周期のMQWで作製した。また、信号光の多重反射によってさらに高いゲインと十分な動作波長帯域を持たせるためのFPI(Fabry-Perot Interferometer)構造の面型光増幅器の設計と作製を行ったので報告する。
著者
川上 彰二郎 大寺 康夫 川嶋 貴之
出版者
公益社団法人 応用物理学会
雑誌
応用物理 (ISSN:03698009)
巻号頁・発行日
vol.68, no.12, pp.1335-1345, 1999-12-10 (Released:2009-02-05)
参考文献数
42
被引用文献数
3

屈折率の異なる複数種類の透明材料が多次元的に周期配列した構造体である「フォトニック結晶」は,光に対する禁制帯であるフォトニック・バンドギャップ (PBG) と大きな異方性・分散性で特徴づけら れる,まったく新しい光材料である.これらの性質;を利用することで,超小型光集積回路や高効率発光素子など次世代の光エレクトロニクス素子が可能となる.著者らはこれまで, rfバイアス・スパッタ法 による堆積膜の形状の自己整形作用を利用した「自己クローニング」とよぶ技術を開発し,多次元フォトニック結晶の作製を行ってきた.本稿では,従来の結晶合成技術と著者らの作製法の特徴,そしてデ バイス応用例について概説する.
著者
鄭 期太 花泉 修 柏田 伸也 シュアイブ イブラヒム 川上 彰二郎
出版者
一般社団法人電子情報通信学会
雑誌
電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集
巻号頁・発行日
vol.1995, no.1, 1995-09-05
被引用文献数
1

光ISDN等の光ネットワーク構築のためには光分岐などによる損失の補償ができることと共に簡単な構造で大量生産が容易な光増幅器の開発が要求される。これには図1に示す様な面型光増幅器が適している。今回、極めて簡単な構造でファイバ集積化が可能な光励起MQW面型光増幅器の設計と作製を行った。その結果、我々の知る限り光励起面型光増幅器としては初めて増幅特性が得られたので報告する。
著者
佐藤 尚 小形 哲也 川嶋 貴之 井上 喜彦 川上 彰二郎
出版者
一般社団法人電子情報通信学会
雑誌
電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 (ISSN:09135685)
巻号頁・発行日
vol.106, no.248, pp.1-5, 2006-09-08

フォトニック結晶とは,人工的に形成した微細な周期構造体からなる新しい光学材料である.自己クローニング法は生産性・再現性の優れた独自のフォトニック結晶製造技術である.さらに異なる特性のフォトニック結晶の集積化が容易であり,フォトニック結晶の産業応用を可能にするキーテクノロジーとなっている.現在は光記録、イメージング、ディスプレイを始め光計測,光通信など光産業への幅広い応用展開を進めている.
著者
川上 彰二郎 花泉 修 佐藤 尚 大寺 康夫 川嶋 貴之
出版者
一般社団法人電子情報通信学会
雑誌
電子情報通信学会論文誌. C-I, エレクトロニクス, I-光・波動 (ISSN:09151893)
巻号頁・発行日
vol.80, no.6, pp.296-297, 1997-06-25
被引用文献数
20

2種類の透明媒質からなるサブミクロン周期3次元構造を初めて作製し, 光学的に観察した結果について報告する. 材料系はSi(n=3.26) とSiO_2(n=1.46) であり, バイアススパッタリング法によって凹凸パターンを保存しながら積層することができた. 3次元周期構造部分のパスバンドとストップバンドが1次元のみの周期構造部分に対して大きく変化している様子が確認された.
著者
川上 彰二郎 大寺 康夫 佐藤 尚 花泉 修 ペンドリー J.B. ラッセル P.st.J.
出版者
東北大学
雑誌
基盤研究(B)
巻号頁・発行日
1998

1.偏光分離素子の高性能化単位セル構造の最適化により,消光比,動作波長域,斜入射特性を改善した。また,ARコートにより反射損失を低減させることにより,挿入損失を低減した。2.可視域フォトニック結晶の創生TiO_2/SiO_2を用いた可視域フォトニック結晶を作製した。さらに,これを用いて,複屈折性を利用した波長板や回折格子型偏光分離素子を試作し,動作を確認した。3.バンドギャップ拡大の研究自己クローニング法による変調杉綾と垂直孔形成により,完全バンドギャップが得られることを理論的に示した。さらに,これを実現するために反応性エッチングを含んだプロセスを提案し,原理的に可能であることを実験により示した。4.新しい導波路構造の提案・設計・解析新たに,格子定数・格子方位変調型の導波路構造を提案し,設計、解析を行い,その構造の有効性を確認した。これらは,自己クローニングのみで面内導波路が形成できるという利点を持つ。5.機能性材料とフォトニック結晶の複合技術の開発研究II VI族及びIII V族化合物半導体として,それぞれCdS,InGaAlAs系半導体を自己クローニング型フォトニック結晶と複合させるプロセスを開発し,発光特性の評価を行った。