著者

和田 一実

出版者

公益財団法人 日本学術協力財団

雑誌

学術の動向 (ISSN:13423363)

巻号頁・発行日

vol.19, no.12, pp.12_18-12_25, 2014-12-01 (Released:2015-04-03)

参考文献数

14

著者

和田 一実

出版者

公益社団法人 応用物理学会

雑誌

応用物理 (ISSN:03698009)

巻号頁・発行日

vol.64, no.7, pp.653-659, 1995-07-10 (Released:2009-02-05)

参考文献数

31

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半導体量子微細構造制御には,克服すべきいくつかの基本的な限界がある. (1) 表面・界面のステツプ, (2) 加工により誘起される損傷, (3) 表面でのフェルミ準位ピニング, (4) 表面張力による歪み,および (5) 電子励起による原子移動などがおもなものである.本稿では,化合物半導体,おもにGaAsを舞台に,基本的限界として(1)表面ステップおよび (2) 加工損傷にっいて解説するとともにブレークスルーへのアプローチとその最近の進展に触れる.

著者

井上 直久 和田 一実

出版者

一般社団法人 日本鉄鋼協会

雑誌

鉄と鋼 (ISSN:00211575)

巻号頁・発行日

vol.73, no.8, pp.947-955, 1987-06-01 (Released:2009-06-19)

参考文献数

40