著者
小畠 厳貴 和田 雄高 徳重 克彦 辻村 学 當間 康 鈴木 作 小寺 章
出版者
一般社団法人 日本機械学会
雑誌
日本機械学会関東支部総会講演会講演論文集
巻号頁・発行日
vol.2008, pp.407-408, 2008

In this paper, polishing performance of ECP-C, which is a kind of ECMP(Electro-Chemical Mechanical Polishing), at Cu clear process is discribed. After Cu clear, it was found that erosion was below 10nm and Cu residue was not observed. However, it was also found that dishing was over 100nm and it significantly increased with over polish time. This increase is assumed of electrochemical ething due to low electrical insulation property of Cu complex formed in ECP-C. Therefore, it is considered that the improvement in electrical insulation property is necessary for applying ECP-C to Cu clear process.
著者
寺山 裕 草津 航平 森田 倫太朗 カチョーンルンルアン パナート 和田 雄高 濵田 聡美 檜山 浩國
出版者
公益社団法人 精密工学会
雑誌
精密工学会学術講演会講演論文集
巻号頁・発行日
vol.2019, pp.138-139, 2019

<p>半導体製造ではウェハ上に残留する直径100 nm以下の研磨ナノ粒子は重大な製造欠陥を引き起こすため,研磨後の表面洗浄は必要不可欠である.未だ解明されていないブラシスクラブ洗浄時表面近傍で発生するナノ粒子の付着・離脱挙動現象を,基板表面のみに局在するエバネッセント光で動的に観察した.本稿ではPVAブラシと異なった波長で蛍光するナノシリカ粒子を用いてブラシと粒子を色識別し,洗浄現象の可視化を行ったので報告する.</p>