1 0 0 0 OA 将来のLSIにおけるデバイスの考察
1 0 0 0 OA 半導体デバイスの静電気 および放射線対策
- 著者
- 垂井 康夫 松川 隆行
- 出版者
- 一般社団法人 電気学会
- 雑誌
- 電氣學會雜誌 (ISSN:00202878)
- 巻号頁・発行日
- vol.106, no.9, pp.895-898, 1986-09-20 (Released:2008-04-17)
- 参考文献数
- 11
1 0 0 0 OA ショットキ・バリア・ダイオードを含むIC
- 著者
- 林 豊 関川 敏弘 垂井 康夫
- 出版者
- 公益社団法人 応用物理学会
- 雑誌
- 応用物理 (ISSN:03698009)
- 巻号頁・発行日
- vol.39, no.5, pp.458-464, 1970 (Released:2009-02-09)
- 参考文献数
- 17
1 0 0 0 OA MOSメモリ
- 著者
- 垂井 康夫 林 豊 小柳 理正
- 出版者
- 公益社団法人 応用物理学会
- 雑誌
- 応用物理 (ISSN:03698009)
- 巻号頁・発行日
- vol.38, no.5, pp.495-503, 1969-05-10 (Released:2009-02-09)
- 参考文献数
- 15
1 0 0 0 OA 超LSI技術
- 著者
- 垂井 康夫 鳳 紘一郎
- 出版者
- 公益社団法人 応用物理学会
- 雑誌
- 応用物理 (ISSN:03698009)
- 巻号頁・発行日
- vol.46, no.4, pp.381-390, 1977-04-10 (Released:2009-02-09)
- 参考文献数
- 53