著者

大平 圭介

出版者

公益社団法人 応用物理学会

雑誌

応用物理 (ISSN:03698009)

巻号頁・発行日

vol.90, no.4, pp.249-252, 2021-04-05 (Released:2021-04-05)

著者

當摩 哲也 SHAHIDUZZAMAN MD 宮寺 哲彦 大平 圭介

出版者

金沢大学

雑誌

基盤研究(B)

巻号頁・発行日

2020-04-01

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太陽電池のさらなる世界的普及を考えると、高性能化と低コスト化に並び重要なのは長寿命化である。本研究では、エネルギー変換効率20%以上を発現するペロブスカイト太陽電池において、大気下での長寿命化技術の構築に取り組む。本研究では、①長寿命ペロブスカイト材料の探索とその劣化メカニズムの解明、②ペロブスカイト層にダメージを与えないCat-CVDによるドープしたSi層のETLとHTL層の開発を推進する。さらに、①と②を組み合わせた③劣化因子をすべて排除した極長寿命ペロブスカイト太陽電池の実現(Si太陽電池同等レベル目標)を本研究で達成する。

著者

大平 圭介 中島 寛記 文 昱力 Huynh Thi Cam Tu

出版者

公益社団法人 日本表面真空学会

雑誌

表面と真空 (ISSN:24335835)

巻号頁・発行日

vol.66, no.2, pp.91-96, 2023-02-10 (Released:2023-02-10)

参考文献数

16

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Ultrathin (∼1 nm) films have been widely used for high-efficiency crystalline silicon (c-Si) solar cells such as tunnel oxide passivated contact (TOPCon) solar cells. In this article, we present our recent results for the applications of ultrathin silicon oxide (SiOx) and silicon nitride (SiNx) films to c-Si solar cells. The following topics are reviewed. 1) Ultrathin SiNx can be utilized for passivating contacts instead of SiOx in the TOPCon structure. 2) The addition of SiOx between c-Si and thick catalytic-chemical-vapor-deposited (Cat-CVD) SiNx significantly improves the quality of surface passivation. 3) Ultrathin Al-doped SiOx films formed just by dipping in Al(NO3)3 solution on c-Si provide strong upward band bending due to negative fixed charges, which can be used for hole-selective contacts.

著者

大平 圭介 増田 淳 石河 泰明 傍島 靖

出版者

日本太陽光発電学会

雑誌

「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム(日本太陽光発電学会学術講演会)予稿集 第20回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム(第3回日本太陽光発電学会学術講演会)(2023年) (ISSN:24366498)

巻号頁・発行日

pp.27, 2023-06-23 (Released:2023-08-23)

参考文献数

8