著者

吉田 勲 河野 洋 宇田 毅 岡崎 耕三

出版者

社団法人 農業農村工学会

雑誌

農業土木学会誌 (ISSN:03695123)

巻号頁・発行日

vol.56, no.2, pp.127-131,a1, 1988-02-01 (Released:2011-08-11)

参考文献数

6

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両眼立体視カメラモデルから得られる画縁処理による体積測定法の開発を目的とした。これは画像の二次元情報からもとの三次元座標の復元を行い, これに基づいて体積を算出する手法である。三次元座標は三角測量の原理から求める。また, 解析の際に左右画像上の対応点を相関法に決定する。でき上がった多面体を三角形に自動分割し, 物体を近似した。この画像処理による体積測定プログラムの開発により従来の土木計測技術に比べて, 能率よく, コストも低くなるものと考えられる。また, 土木以外にも幅広い応用が可能となる。

著者

金田 千穂子 山崎 隆浩 宇田 毅 内山 登志弘 寺倉 清之

出版者

The Surface Science Society of Japan

雑誌

表面科学 (ISSN:03885321)

巻号頁・発行日

vol.20, no.10, pp.732-736, 1999-10-10 (Released:2010-02-05)

参考文献数

12

被引用文献数

2 1

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Stable structures and electronic states of Si(100)/SiO2 interface are investigated using the first-principles molecular dynamics method. Quartz, tridymite, and pseudo beta-cristobalite are employed as the initial structures of the SiO2 at the interface to find the stable ones by the structural optimization. It is found that the optimized tridymite-type SiO2 structure on Si is the most stable for thin (about 7Å) SiO2 layer. For the thicker (about 15Å) layer, however, this structure becomes less stable and the optimized quartz-type SiO2 structure is the most stable. The band gap variation along the direction perpendicular to the interface is also investigated for the optimized structures. In the SiO2 region within 1Å from the structural interface, the band gap remains as narrow as that of silicon. The drastic change of the band gap takes place in the SiO2 region between 1 and 4Å.