著者

張 睿暎

出版者

獨協大学法学会

雑誌

獨協法学 = Dokkyo law review (ISSN:03899942)

巻号頁・発行日

no.105, pp.横231 (114)-横256 (89), 2018-04

著者

張 睿暎

出版者

獨協大学法学会

雑誌

獨協法学 = Dokkyo law review (ISSN:03899942)

巻号頁・発行日

no.107, pp.横329 (202)-横364 (167), 2018-12

著者

張 睿

出版者

東京大学

雑誌

特別研究員奨励費

巻号頁・発行日

2012

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Ge channel is one of the most promising solution for CMOS devices in post-Si age. Mobility enhancement is the most critical issue limiting the application of Ge MOSFETS. Recently, although many progresses have been achieved for high mobility Ge MOSFETs, mobility degradation in high normal field region is still severe which strongly reduces the ON state current in Ge MOSFETs. The mechanism of this phenomenon is not clear yet, in spite of importance. Therefore, in our research the physical origins causing high normal field mobility degradation were systematically investigated. Through the evaluation of Hall mobility in Ge MOSFETs, it is found that large amount of surface states exist inside valence and conduction band of Ge, which results in significant decrease of mobile carrier concentration in the channel and rapid reduction of effective mobility of Ge MOSFETs.Additionally, it is confirmed that the surface states inside conduction band of Ge can be passivated by annealing the Ge nMOSFETs in atomic deuterium ambient. Besides of surface states, it is also confirmed that the surface state roughness scattering dominates the mobility in high normal field for Ge MOSFETs, similar with the situation in Si MOSFETs. With decreasing the post oxidation temperature, the surface roughness at GeOx/Ge interfaces can be sufficiently reduced without losing the superior electrical passivation much. As a result, around 20% and 25% mobility enhancement can be realized for Ge pMOSFETs and nMOSFETs, respectively, in a high normal field region of N_s=10^<13> cm^<-2> by reducing the post oxidation temperature from 300℃ down to room temperature.

著者

高林 龍 竹中 俊子 渋谷 達紀 張 睿暎 竹中 俊子 渋谷 達紀 張 睿暎

出版者

早稲田大学

雑誌

基盤研究(B)

巻号頁・発行日

2007

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本研究プロジェクトは引き続き次の2つを目的として研究してきた。a 早稲田大学21世紀COE《企業法制と法創造》総合研究所のプロジェクトで確立したデータベースに、更にインドの判例を追加し、データベースをより総合的なものにすること。b 判例データベースや、「東アジアにおける産業財産権関連紛争の裁判上の処理に関する実態調査」報告書を基に、アジア各国の異なる知的財産権エンフォースメントを比較研究し、知的財産権紛争の解決の新しいあり方について模索すること。上記研究目的を果たすために、平成20年度には次のような研究活動をした。2008年5月13日にインドの判例88件が、2009年3月6日には91件、2009年3月31日には56件がアジア知的財産判例データベースに追加されて、無料公開されている。(http://www.21coe-win-cls.org/rclip/db/search_form.php)また、2007年5月13日には「IPエンフォースメントin India」というタイトルで、デリー高等裁判所判事Arjan K. Sikri氏やデリー大学法学部教授S.K.Verma氏など、インド知的財産権を代表する有識者を招いて、国際シンポジウムを開催した。 (http://www.21coe-win-cls.org/project/activity.php?gid=10096)