- 著者
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岡本 恵介
小泉 圭輔
廣島 佑
渡辺 重佳
- 出版者
- 一般社団法人電子情報通信学会
- 雑誌
- 電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路 (ISSN:09135685)
- 巻号頁・発行日
- vol.107, no.511, pp.81-86, 2008-02-29
3次元型トランジスタを用いたシステムLSI設計法、特に素子領域のパターン面積の縮小効果について検討した(検討したモチーフはNAND,NOR等の基本回路とテーパ型バッファ回路)。この検討により、FinFETを用いることでパターン面積が大幅に削減できる可能性が有ることがわかった。そこで、CMOSセルライブラリヘ"平面型+FinFET型"方式を適用し、側壁チャネル幅を最適化することにより、動作速度、消費電力等の性能を犠牲にする事無くシステムLSIの素子領域のパターン面積を従来の平面型の場合の約40%に縮小できることを示した。今後設計上の幾つかの検討項目を解決することにより、"平面型+FinFET型"方式は将来のシステムLSI実現の有力な候補になる。