1 0 0 0 OA TrueScalableSiCMOSLSIの研究
シリコンCMOS集積回路は、あらゆる情報処理機器のハードウエアの構成要素である。これを支えてきたのは、スケーリング則を指導原理として微細化し、高性能化、低消費電力化し、さらにチップ面積も低減させ低コスト化してきたことにある。再認識すべきは、チップ面積が低減による低コスト化と高性能化を実現してきたことである。することである。デジタル集積回路においては特に長距離配線委おいてはリピータ挿入による面積増大、RF/アナログ集積回路ではインダクタなどの受動素子を利用することから面積低減阻害が大きな課題になっている。本研究ではプロセス世代が進展した際にも、これまでとおりの面積削減と性能向上が両立し得る回路技術の提案、ならびに開発を行った。これらを180nm、90nm、65nm、45nmCMOS集積回路試作を通じて実証した。
- 著者
- 岡田 健一 菅原 弘雄 益 一哉
- 出版者
- 一般社団法人電子情報通信学会
- 雑誌
- 電子情報通信学会技術研究報告. SR, ソフトウェア無線 (ISSN:09135685)
- 巻号頁・発行日
- vol.105, no.217, pp.97-103, 2005-07-21
本研究では, Si CMOS技術によるマルチスタンダード無線回路の実現に向けて, リコンフィギュラブルRF回路技術を提案する.提案する回路アーキテクチャは, RF回路部とディジタルの制御回路から構成されており, トランジスタや可変受動素子のバイアス電圧を制御することにより, また, 回路をブロックごと切り替えることにより, 回路機能を動的に再構成する.再構成機能を用いることで, マルチバンド化のみならず, 歩留まりの向上や低消費電力化が可能であり, 静的な回路では実現不可能な高品質な回路の実現が可能である.