著者

細井 卓治

出版者

公益社団法人 応用物理学会

雑誌

応用物理 (ISSN:03698009)

巻号頁・発行日

vol.90, no.11, pp.707, 2021-11-01 (Released:2021-11-01)

著者

志村 考功 渡部 平司 細井 卓治

出版者

大阪大学

雑誌

基盤研究(B)

巻号頁・発行日

2015-04-01

---

急速加熱処理による液相エピタキシャル成長法により単結晶GeSn細線を非晶質基板上に形成し、それを用いた電界効果トランジスタとフォトダイオードを試作し、その特性を評価した。トランジスタ特性より求めた正孔の電界効果移動度はピーク値で423 cm2/Vsに達した。また、フォトダイオードについては光通信で用いられている波長1.55 μmの光に対して良好な光応答を確認することができた。