著者
広瀬 愛彦 大林 茂樹 藤野 良幸 早坂 隆 細金 明 石垣 佳之 栗山 祐忠 牧 幸生 本田 裕己 西村 安正
出版者
一般社団法人電子情報通信学会
雑誌
電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス
巻号頁・発行日
vol.93, no.349, pp.85-91, 1993-11-26

0.5μm BiCMOSプロセスを用いて、3.3V-TTLインタフェース互換の64K×18ビットBiCMOS超高速SRAMを開発した。TFT負荷型メモリセル及びエミッタフォロワ型センスアップの採用により、低電圧動作マージンを拡げ、最小動作電源電圧は2Vを実現した。またライトリカバリの高速化回路を工夫し、書込み直後の読み出しサイクルにおけるアクセス時間の増大を抑えた。試作の結果、Vcc=3.0Vで7.8nsのアクセス時間を達成した。
著者
金 明蘭 樋口 孝之 宮崎 清
出版者
日本デザイン学会
雑誌
デザイン学研究 (ISSN:09108173)
巻号頁・発行日
vol.53, no.1, pp.59-68, 2006-05-31

韓国では1990年から地域の象徴通りとして「文化通り」での整備が進んでいる。本研究では、「文化通り」の街路空間特性の考察、ならびに、完工済みである「文化通り」の現地調査と自治体管理者へのインタビュー調査から舗装面の物理的形態と通りの利用特性について解析を行い、「文化通り」のフットスケープデザインについて総合的な考察を行った。現状では、ローリング工法であるアスファルト舗装と経済的なセメントブロック舗装が大部分を占めており、歩車共存、施工の容易性、経済性が優先されている。美的配慮や地域特性の表現、環境親和へ配慮がなされたフットスケープデザインは少ない。一方で、「文化通り」は地域の要所に設定され人通りも多く、半数の箇所でイベントも開かれていることが確認された。「文化通り」のフットスケープデザインおいては地域のアイデンティティの表現が強く求められ、ブロック舗装をはじめとした多様なパターン展開を容易とする舗装を積極的に活用することが有効である。