2 0 0 0 OA 熱電冷却展望
- 著者
- 青木 昌治
- 出版者
- 公益社団法人 応用物理学会
- 雑誌
- 応用物理 (ISSN:03698009)
- 巻号頁・発行日
- vol.26, no.6, pp.215-228, 1957-06-10 (Released:2009-02-09)
- 参考文献数
- 19
- 被引用文献数
- 1
1 0 0 0 太陽エネルギーの利用
- 著者
- 青木 昌治
- 出版者
- 一般社団法人日本物理学会
- 雑誌
- 日本物理学会誌 (ISSN:00290181)
- 巻号頁・発行日
- vol.14, no.1, pp.2-10, 1959
1 0 0 0 テルル化蒼鉛による熱電冷却:その5: 熱電物質
- 著者
- 青木 昌治 菅 義夫
- 出版者
- 公益社団法人 応用物理学会
- 雑誌
- 応用物理 (ISSN:03698009)
- 巻号頁・発行日
- vol.29, no.6, pp.363-370, 1960
For the purpose of obtaining superior thermoelectric materials, purification of Bi, Te and Bi<sub>2</sub>Te<sub>3</sub> has been carried out.<br> Bismuth is purified by the method of alkali-treatment and zone melting in removing Cu, Ag and Pb.<br> For the purification of tellurium, vacuum distillation is very efficient to remove Cu, Ag and Pb.<br> Measured thermoelectric power a and resistivity of purified Bi<sub>2</sub>Te<sub>3</sub> were α=235μV•deg<sup>-1</sup>, and p=1.16×10<sup>-3</sup>Ω•cm respectively.<br> The influence of addictive impurities on Bi<sub>2</sub>Te<sub>3</sub> is examined. Tl, Li, Pb and Cd etc. are p-type and Cu, Ag, Se, Te, halogen and metal-halides etc. are n-type impurities.<br> The thermoelectric properties of PbTe, Sb<sub>2</sub>Te<sub>3</sub>, Bi<sub>2</sub>Te<sub>3</sub>-Sb<sub>2</sub>Te<sub>3</sub> and Bi<sub>2</sub>Te<sub>3</sub>-Bi<sub>2</sub>Se<sub>3</sub> solid solution are examined. The result shows that the solid solution of isomorphous compounds is suitable for the thermoelectric material.<br> By the use of (Bi-Sb)<sub>2</sub>Te<sub>3</sub> <i>p</i>-type element and Bi<sub>2</sub>(Te-Se)<sub>3</sub> <i>n</i>-type element thermojunctions, the temperature drop of 71.3 deg was attained with a temperature of hot junction of 30°C.
1 0 0 0 熱電冷却展望
- 著者
- 青木 昌治
- 出版者
- 公益社団法人 応用物理学会
- 雑誌
- 応用物理 (ISSN:03698009)
- 巻号頁・発行日
- vol.26, no.6, pp.215-228, 1957
1 0 0 0 セレン整流體の接觸電位差について
- 著者
- 青木 昌治
- 出版者
- 公益社団法人 応用物理学会
- 雑誌
- 応用物理 (ISSN:03698009)
- 巻号頁・発行日
- vol.18, no.10, pp.352-353, 1950
1 0 0 0 熱電発電の原理と応用
- 著者
- 青木 昌治
- 出版者
- 一般社団法人 日本機械学会
- 雑誌
- 日本機械学会誌 (ISSN:00214728)
- 巻号頁・発行日
- vol.68, no.557, pp.805-811, 1965
1 0 0 0 半導体の熱電現象とその応用
- 著者
- 青木 昌治
- 出版者
- 東京大学工学部電気工学科
- 雑誌
- 東京大学工学部電気工学・電子工学彙報 (ISSN:05637929)
- 巻号頁・発行日
- no.10, 1962-03
1 0 0 0 OA Franz-Keldysh効果
- 著者
- 青木 昌治 福家 俊郎
- 出版者
- 公益社団法人 応用物理学会
- 雑誌
- 応用物理 (ISSN:03698009)
- 巻号頁・発行日
- vol.36, no.6, pp.422-435, 1967 (Released:2009-02-20)
- 参考文献数
- 76
- 被引用文献数
- 1
Different theories on the Franz-Keldysh effect are briefly described with the experimental results on the electro-absorption effect for GaAs, Si and other materials, and the experimental results are compared with the theories. The experiments and the analysis of the electro-reflectance effect are also introduced. The practical applications of the Franz-Keldysh effect such as a modulating device of light intensity, a light deflection device and a light-activated negative registance device are discussed. According to the authors' work on the electro-absorption effect in CdS crystals, 90_??_95%' modulation has been obtained under a modulating field of 0.95×105 V/cm, using a specimen of 100μm thick and wavelength of 5120Ä. The frequency response of the effect has been concluded to be flat up to 107 Hz from the result in an application of a pulsed voltage.