著者
伊藤 俊樹
出版者
公益社団法人 応用物理学会
雑誌
応用物理 (ISSN:03698009)
巻号頁・発行日
vol.88, no.1, pp.31-35, 2019-01-10 (Released:2019-09-20)
参考文献数
7

ナノインプリントリソグラフィ(NIL)は,ナノスケールの微細加工技術として有効な技術であることが示されてきた.本稿では,NANDフラッシュメモリやDRAMなどの先端デバイスへの適用に向け開発している新しいインプリント装置の紹介,技術開発の進捗状況,ほかの先端半導体デバイス量産装置候補よりも魅力的な生産コストで,かつ将来の要求仕様に適したインプリント技術の展望について報告する.

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2019年の応物の記事を読んでると、FPA-1200NZ2Cという型式は既にこの頃からあったんですねー。しかもデバイスメーカー(たぶんキオクシア)で量産試作機として運用中と書いているのでまだその頃は良かったんだなーと(今は国PJ & SKへシフト?) https://t.co/0fkJNF2VdU
キヤノンは2018年時点で毎時90枚のウェハスループットを達成したとしているので、それから5年後の2023年時点で毎時40枚のスループットだとすると、矛盾するように感じます。 https://t.co/NkUJRAKyHt
#これは良い資料 キヤノン 「半導体製造用ナノインプリントシステム」 ナノインプリントリソグラフィの装置や技術開発について紹介されています。 https://t.co/D6QBygyJRR https://t.co/V4v8sISsyi https://t.co/AEEpg24O3o
@Johoshushupopo と書いてからググったら・・・w https://t.co/IQZz5xpxho

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