著者

伊東 元 長崎 浩 丸山 仁司 橋詰 謙 中村 隆一

出版者

公益社団法人日本理学療法士協会

雑誌

理学療法学 (ISSN:02893770)

巻号頁・発行日

vol.17, no.2, pp.123-125, 1990-03-10

被引用文献数

17

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健常老年男性15名 (64-84歳) に最大速度で歩行を行わせ, 速度・歩幅・歩行率と重心動揺距離との関係を検討した。歩行速度の有意な決定因は重心動揺距離であり, 重心動揺距離が小さいと速度が速かった。歩行率の決定因は重心動揺距離であり, 重心動揺距離が大きいと歩行率が小さかった。歩幅に対しては有意な決定因はなかった。

著者

佐直 信彦 中村 隆一

出版者

社団法人日本リハビリテーション医学会

雑誌

リハビリテーション医学 : 日本リハビリテーション医学会誌 (ISSN:0034351X)

巻号頁・発行日

vol.30, no.6, pp.399-403, 1993-06-18

被引用文献数

18

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歩行可能な脳卒中片麻痺患者50症例を対象として,10m距離の最大歩行速度,立位時の両足圧中心累積移動距離(SP),両膝伸展・屈曲の等速性筋力を測定し,年齢や性などの個人情報および神経学的所見との関連を検討した.重回帰分析の結果では,最大歩行速度の決定因は患側膝伸展カとSPであり,筋力が低く,SPが大きいほど歩行速度は遅かった.SPの決定因は開眼時では患側膝伸展力,発症からの期間,体重,門限時では患側膝伸展力,感覚障害,年齢であった.脳卒中後,立位バランス保持の感覚運動機能は視覚系への依存が高まり,その再統合にはかなりの時間を要する.

著者

生駒 英明 中村 隆一 原 章雄

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集

巻号頁・発行日

vol.1996, no.2, 1996-09-18

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GaAsの表面は多量の表面準位が存在し、表面フェルミ準位のピンニング現象を起している。そのだめ、GaAsのMIS(金属-絶縁膜-半導体)構造においてはSiの場合のように反転層、蓄積層が形成されないとされている。現在GaAs素子はショットキーゲートFET(MESFET)が用いられているが、MISFETがが不可能なだめ、SiのCMOSのような低消費電力の回路が組めない。まだHEMT,HBTや半導体レーザの表面バッシヴェーション膜も重要であるが、なかなか良好な絶縁膜がないのが現状である。とくに半導体レーザではその信頼性がパッシヴェーション膜によって左右される場合がある。含回、GaAsをヘリコン波を励起したN2とArプラズマにより表面処理(窒化まだは酸窒化)を行った結果、比較的に良好と思われる絶縁膜(およびMIS構造)が得られたので報告する。

著者

松井 彩乃 長岡 正範 中村 隆一

出版者

社団法人日本リハビリテーション医学会

雑誌

リハビリテーション医学 : 日本リハビリテーション医学会誌 (ISSN:0034351X)

巻号頁・発行日

vol.32, no.11, 1995-11-18