著者

青柳 昌宏 居村 史人 加藤 史樹 菊地 克弥 渡辺 直也 鈴木 基史 仲川 博 岡田 義邦 横島 時彦 山地 泰弘 根本 俊介 TUNG Bui Thanh SAMSON Melamed

出版者

国立研究開発法人 産業技術総合研究所

雑誌

Synthesiology (ISSN:18826229)

巻号頁・発行日

vol.9, no.1, pp.1-14, 2016 (Released:2016-03-19)

参考文献数

38

被引用文献数

2 5

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ICデバイスを縦方向に積層して実装集積する3次元IC積層実装技術は、半導体デバイス、MEMSデバイス、パワーデバイス等の集積技術として、従来の基板面内での2次元的な集積化に加えて、基板を積層して3次元的に集積化できるため、近年、期待が高まっている。この論文では、半導体デバイスの3次元IC積層実装に求められる高密度・高集積の電子ハードウエア構築基盤技術を確立させるとともに、企業と連携して量産化技術への開発支援も行いながら、実用化に向けた応用システム開発の流れを作り出すために実施した、初期の応用フェーズの研究開発について、報告する。

著者

居村 史人 劉 小軍 根本 俊介 加藤 史樹 菊地 克弥 鈴木 基史 仲川 博 青柳 昌宏 五味 善宏 斉藤 伊織 長谷川 弘

出版者

一般社団法人エレクトロニクス実装学会

雑誌

エレクトロニクス実装学術講演大会講演論文集 第25回エレクトロニクス実装学術講演大会

巻号頁・発行日

pp.229-232, 2011 (Released:2014-07-17)

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Auナノ粒子をHe不活性ガスで搬送し、基板上のレジストホールに対してノズルから高速にAuナノ粒子を堆積させると、ホール底面部のみならず、ホールエッジ部にもAuナノ粒子が堆積しひさしを形成する。このひさしが成膜過程においてホールを狭窄する方向に成長することで自己形成的に錐形状のバンプがホール内に作製される。このときのひさしの成長過程をレジストホール近傍におけるHeガス挙動のシミュレーションと合わせて考察した。また、φ10μmサイズのAu錐形バンプ作製し、対向する基板上のAlもしくはAuパッドにフリップチップ接合し、バンプ接合部の断面SEM観察、ディジーチェーン接続による直列抵抗を評価した。