Ceek.jp Altmetrics (α ver.)
文献ランキング
合計
1ヶ月間
1週間
1日間
文献カレンダー
新着文献
すべて
2 Users
5 Users
10 Users
新着投稿
Yahoo!知恵袋
レファレンス協同データベース
教えて!goo
はてなブックマーク
OKWave
Twitter
Wikipedia
検索
ウェブ検索
ニュース検索
ホーム
文献一覧: 岩元 勇人 (著者)
2件
1
0
0
0
OA
三次元積層構造を活かしたイメージセンサの進化
著者
岩元 勇人
雑誌
2020年第67回応用物理学会春季学術講演会
巻号頁・発行日
2020-01-28
1
0
0
0
(100)及び(110)基板上のeSiGeによる歪みSiチャネルを有するMetal/High-k Gate Stack MOSFETのデバイス特性(<特集>IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
著者
舘下 八州志
王 俊利
長野 香
平野 智之
宮波 勇樹
生田 哲也
片岡 豊隆
菊池 善明
山口 晋平
安藤 崇志
田井 香織
松本 良輔
藤田 繁
山根 千種
山本 亮
神田 さおり
釘宮 克尚
木村 忠之
大地 朋和
山本 雄一
長濱 嘉彦
萩本 賢哉
若林 整
田川 幸雄
塚本 雅則
岩元 勇人
齋藤 正樹
門村 新吾
長島 直樹
出版者
一般社団法人電子情報通信学会
雑誌
電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス
(
ISSN:09135685
)
巻号頁・発行日
vol.106, no.504, pp.5-8, 2007-01-19
ダマシンゲート構造を有するMetal/High-kゲートスタックとeSiGe S/Dを用いた歪みSiチャネルを組み合わせたMOSFETの試作にはじめて成功した。ゲート電極材料には、nFET用にHfSix、pFET用にTiNを採用した。その結果、Vd=1 V, Ioff=100nA/um, Tinv=1.6nmで、nFET: 1050uA/um、pFET: 710uA/umの特性が(100)基板上で得られた。さらに(110)基板上のpFETのインテグレーションにも成功し、830uA/umの特性が得られた。これらの特性は0.03A/cm^2以下の低ゲートリークの条件下で実現した。