- 著者
- 長島 直樹
- 出版者
- 東洋大学経営学部
- 雑誌
- 経営論集 (ISSN:02866439)
- 巻号頁・発行日
- no.85, pp.11-25, 2015-03
- 著者
- 長島 直樹
- 巻号頁・発行日
- 2011
筑波大学博士 (経営学) 学位論文・平成23年10月31日授与 (甲第5926号)
- 著者
- 長島 直樹
- 巻号頁・発行日
- 2011
筑波大学博士 (経営学) 学位論文・平成23年10月31日授与 (甲第5926号)
- 著者
- 門倉 正樹 山崎 達雄 安西 春幸 駒崎 敏郎 松本 隆 長島 直樹 荻原 正規 沼尻 良克 小山 勇 鋤柄 稔 尾本 良三
- 出版者
- 一般社団法人日本消化器外科学会
- 雑誌
- 日本消化器外科学会雑誌 (ISSN:03869768)
- 巻号頁・発行日
- vol.27, no.2, 1994-02-01
1 0 0 0 OA 情報サーチと消費者行動 : 消費者はネット情報をどのように使っているか
- 著者
- 舘下 八州志 王 俊利 長野 香 平野 智之 宮波 勇樹 生田 哲也 片岡 豊隆 菊池 善明 山口 晋平 安藤 崇志 田井 香織 松本 良輔 藤田 繁 山根 千種 山本 亮 神田 さおり 釘宮 克尚 木村 忠之 大地 朋和 山本 雄一 長濱 嘉彦 萩本 賢哉 若林 整 田川 幸雄 塚本 雅則 岩元 勇人 齋藤 正樹 門村 新吾 長島 直樹
- 出版者
- 一般社団法人電子情報通信学会
- 雑誌
- 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス (ISSN:09135685)
- 巻号頁・発行日
- vol.106, no.504, pp.5-8, 2007-01-19
ダマシンゲート構造を有するMetal/High-kゲートスタックとeSiGe S/Dを用いた歪みSiチャネルを組み合わせたMOSFETの試作にはじめて成功した。ゲート電極材料には、nFET用にHfSix、pFET用にTiNを採用した。その結果、Vd=1 V, Ioff=100nA/um, Tinv=1.6nmで、nFET: 1050uA/um、pFET: 710uA/umの特性が(100)基板上で得られた。さらに(110)基板上のpFETのインテグレーションにも成功し、830uA/umの特性が得られた。これらの特性は0.03A/cm^2以下の低ゲートリークの条件下で実現した。