著者

藤田 繁

出版者

金沢大学

雑誌

金沢大学文学部論集. 文学科篇 (ISSN:02856530)

巻号頁・発行日

vol.15, pp.A1-A71, 1995-03-24

著者

藤田 繁実

出版者

日本医科大学医学会

雑誌

日本医科大学雑誌 (ISSN:00480444)

巻号頁・発行日

vol.39, no.2, pp.120-135, 1972-02-15 (Released:2010-12-22)

参考文献数

33

著者

山内 勇人 曽我 進司 河野 秀久 近藤 俊文 佐山 浩二 丹下 宜紀 藤田 繁

出版者

社団法人 日本感染症学会

雑誌

感染症学雑誌 (ISSN:03875911)

巻号頁・発行日

vol.69, no.7, pp.840-843, 1995-07-20 (Released:2011-09-07)

参考文献数

12

被引用文献数

1

---

We report a case of tsutsugamushi disease found in south western Shikoku. A 64-year-old male who lived in Towa Village in Kochi, developed a fever and headache on April 6, 1994, and was admitted to Uwajima City Hospital on April 15, with a ten-day history of illness. He had an eschar on the right anterior side of the breast and an enlargement of the right axillar lymph node, without a rash. Laboratory data showed mild liver injury and atypical lymphocytes with 6% in peripheral blood. After his blood was drawn for rickettsial isolation, the minocycline was administered. His symptoms improved rapidly and was discharged in good condition.We successfully isolated the causative agent, Rickettsia tsutsugamushi, and designated it as the Shiba strain. High antibody titer against the Kato, Karp and Gilliam strains was detected in serum on admission and increased during the course of the disease.In Shikoku, tsutsugamushi disease is rare and only 13 cases were reported during last ten years. Especially in south western district of Shikoku, there have been no case reported since 1960. This case is important epidemiologically and suggests that we should pay attention to this disease.

著者

舘下 八州志 王 俊利 長野 香 平野 智之 宮波 勇樹 生田 哲也 片岡 豊隆 菊池 善明 山口 晋平 安藤 崇志 田井 香織 松本 良輔 藤田 繁 山根 千種 山本 亮 神田 さおり 釘宮 克尚 木村 忠之 大地 朋和 山本 雄一 長濱 嘉彦 萩本 賢哉 若林 整 田川 幸雄 塚本 雅則 岩元 勇人 齋藤 正樹 門村 新吾 長島 直樹

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス (ISSN:09135685)

巻号頁・発行日

vol.106, no.504, pp.5-8, 2007-01-19

---

ダマシンゲート構造を有するMetal/High-kゲートスタックとeSiGe S/Dを用いた歪みSiチャネルを組み合わせたMOSFETの試作にはじめて成功した。ゲート電極材料には、nFET用にHfSix、pFET用にTiNを採用した。その結果、Vd=1 V, Ioff=100nA/um, Tinv=1.6nmで、nFET: 1050uA/um、pFET: 710uA/umの特性が(100)基板上で得られた。さらに(110)基板上のpFETのインテグレーションにも成功し、830uA/umの特性が得られた。これらの特性は0.03A/cm^2以下の低ゲートリークの条件下で実現した。