著者

平野 智之 NGOC Pham Hieu 長谷川 浩志

出版者

一般社団法人日本機械学会

雑誌

最適化シンポジウム講演論文集

巻号頁・発行日

vol.2010, no.9, pp."301-1"-"301-2", 2010-12-09

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In recent years, many researches of the biped robot for living side-by-side with people are reported. However, although many researches on a walking situation are reported, there is little research on the running situation. Therefore, we optimize the foot orbit of a biped robot using APGA (Adaptive Plan system with Genetic Algorithm). This optimization problem is tried by maximization of a reaching distance in the limit time, and its result is reported.

著者

平野 智之 飛奈 宏幸 佐藤 洋一郎

雑誌

育種学研究 = Breeding research (ISSN:13447629)

巻号頁・発行日

vol.2, no.2, 2000-09-25

著者

平野 智之

出版者

大阪府立松原高等学校

雑誌

奨励研究

巻号頁・発行日

2012

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同じ仲間どうしの教え合いという意味のビア・エデュケーションをテーマに、私の所属する府立高校において10年以上にわたって展開されてきた「るるくめいと」というエイズ・ピア・エデュケーショングループの実践について調査研究を行ってきた。まず、現役高校生のグループの1年間の活動のすべてにわたって付添い、公演活動の映像の記録、活動前後のミーティング、学習会の音声記録の収集を行った。また、活動を終えた卒業生のインタビュー調査を行い、それらのデータを原稿に起こして、分析を行った。そこでは、ピア・エデュケーションへの参加により、自分たちが伝えるために学び、対話するという主体的な学習によって、例えば、いじめや性に対する違和感などこれまでの被抑圧感から解放され、新たな自分の生き方や考え方の枠組みを獲得する過程が見られた。私は、その過程を坂本(2005)らの先行研究をもとに、<語る-聴く>場での学習主体の変容過程ととらえ、当事者性の獲得という視角から分析を行った。そこで見られた知見は、<語る-聴く>場が、「語る(伝える)」という実践が継続されて自己変容を伴うことである。このモデルが示しているのは、「聴いた」ことを「語る」実践に反映させてからまた「聴く」ことの連環の重要さである,「るるくめいとに入ったことによって、知識をいろいろ得たっていうのもあると思うけど、性的なことに限らず、他の明らかにおかしい差別的な言葉とかに違うと(言える)」という卒業生は、日常的な堤面での性や差別をめぐる言動を批判的に見ていこうとしている。「語り」、語るために「聴き」という連環は自己省察と新たな百説での実践を導いている。このように調査した高校生や卒業生の言葉から、関係性や相互作用で変容し続ける「主体」の可能性を見ることができたと考える。「語る(伝える)」ために「聴く」という関係性の実践がいわば生成的に継続されている学習活動の意義を発見できた。こうした学習活動を坂本(2005)が提唱した<語る-聴く>の相互作用モデルを拡張した学習の「関係性モデル」であるという仮説に到達できた。これが本奨励研究の顕著な研究成果である。

著者

舘下 八州志 王 俊利 長野 香 平野 智之 宮波 勇樹 生田 哲也 片岡 豊隆 菊池 善明 山口 晋平 安藤 崇志 田井 香織 松本 良輔 藤田 繁 山根 千種 山本 亮 神田 さおり 釘宮 克尚 木村 忠之 大地 朋和 山本 雄一 長濱 嘉彦 萩本 賢哉 若林 整 田川 幸雄 塚本 雅則 岩元 勇人 齋藤 正樹 門村 新吾 長島 直樹

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス (ISSN:09135685)

巻号頁・発行日

vol.106, no.504, pp.5-8, 2007-01-19

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ダマシンゲート構造を有するMetal/High-kゲートスタックとeSiGe S/Dを用いた歪みSiチャネルを組み合わせたMOSFETの試作にはじめて成功した。ゲート電極材料には、nFET用にHfSix、pFET用にTiNを採用した。その結果、Vd=1 V, Ioff=100nA/um, Tinv=1.6nmで、nFET: 1050uA/um、pFET: 710uA/umの特性が(100)基板上で得られた。さらに(110)基板上のpFETのインテグレーションにも成功し、830uA/umの特性が得られた。これらの特性は0.03A/cm^2以下の低ゲートリークの条件下で実現した。