16 0 0 0 OA ヴィルヘルム期ドイツにおけるフェルキッシュ運動と宗教
- 著者
- 齋藤 正樹
- 出版者
- 現代史研究会
- 雑誌
- 現代史研究 (ISSN:03868869)
- 巻号頁・発行日
- vol.59, pp.1-17, 2013-12-20 (Released:2017-07-01)
- 参考文献数
- 77
- 著者
- 齋藤 正樹 Masaki SAITO 早稲田大学大学院文学研究科博士後期課程
- 雑誌
- 史觀 = Shikan : the historical review (ISSN:03869350)
- 巻号頁・発行日
- no.167, pp.80-99, 2012-09-25
1 0 0 0 OA ドイツにおけるデジタル化と歴史学
- 著者
- 齋藤 正樹
- 出版者
- 現代史研究会
- 雑誌
- 現代史研究 (ISSN:03868869)
- 巻号頁・発行日
- vol.60, pp.41-54, 2014-12-20 (Released:2017-07-01)
- 参考文献数
- 56
- 著者
- 齋藤 正樹
- 出版者
- 日本コミュニティ心理学会
- 雑誌
- コミュニティ心理学研究 (ISSN:13428691)
- 巻号頁・発行日
- vol.20, no.1, pp.81-94, 2016-08
- 著者
- 齋藤 正樹
- 出版者
- 早稲田大学大学院文学研究科
- 雑誌
- 早稲田大学大学院文学研究科紀要 第4分冊 (ISSN:13417541)
- 巻号頁・発行日
- vol.52, pp.31-39, 2006
- 著者
- 齋藤 正樹
- 出版者
- 日本ユダヤ学会
- 雑誌
- ユダヤ・イスラエル研究 (ISSN:09162984)
- 巻号頁・発行日
- no.23, pp.24-34, 2009-03
- 著者
- 齋藤 正樹
- 出版者
- 早稲田大学史学会
- 雑誌
- 史觀 (ISSN:03869350)
- 巻号頁・発行日
- no.167, pp.80-99, 2012-09-25
- 著者
- 齋藤 正樹
- 出版者
- 現代史研究会
- 雑誌
- 現代史研究 (ISSN:03868869)
- 巻号頁・発行日
- no.59, pp.1-17, 2013
- 著者
- 齋藤 正樹
- 出版者
- 現代史研究会
- 雑誌
- 現代史研究 (ISSN:03868869)
- 巻号頁・発行日
- vol.59, pp.1-17, 2013
- 著者
- 齋藤 正樹 サイトウ マサキ Masaki Saito
- 出版者
- 立教大学心理学研究室
- 雑誌
- 立教大学心理学研究 (ISSN:13462032)
- 巻号頁・発行日
- no.55, pp.21-31, 2013
- 著者
- 舘下 八州志 王 俊利 長野 香 平野 智之 宮波 勇樹 生田 哲也 片岡 豊隆 菊池 善明 山口 晋平 安藤 崇志 田井 香織 松本 良輔 藤田 繁 山根 千種 山本 亮 神田 さおり 釘宮 克尚 木村 忠之 大地 朋和 山本 雄一 長濱 嘉彦 萩本 賢哉 若林 整 田川 幸雄 塚本 雅則 岩元 勇人 齋藤 正樹 門村 新吾 長島 直樹
- 出版者
- 一般社団法人電子情報通信学会
- 雑誌
- 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス (ISSN:09135685)
- 巻号頁・発行日
- vol.106, no.504, pp.5-8, 2007-01-19
ダマシンゲート構造を有するMetal/High-kゲートスタックとeSiGe S/Dを用いた歪みSiチャネルを組み合わせたMOSFETの試作にはじめて成功した。ゲート電極材料には、nFET用にHfSix、pFET用にTiNを採用した。その結果、Vd=1 V, Ioff=100nA/um, Tinv=1.6nmで、nFET: 1050uA/um、pFET: 710uA/umの特性が(100)基板上で得られた。さらに(110)基板上のpFETのインテグレーションにも成功し、830uA/umの特性が得られた。これらの特性は0.03A/cm^2以下の低ゲートリークの条件下で実現した。