著者

橋本 修 平地 康剛 佐薙 稔 西野 有 下田 秀昭 天野 義久 川上 英一郎 花澤 理宏

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス (ISSN:09135685)

巻号頁・発行日

vol.100, no.548, pp.49-60, 2001-01-11

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2000年の欧州マイクロ波会議の概要を報告する。本会議は30回目となり10月3日から5日までフランスのパリで開催された。今回もEuropean Microwave Week(10月2日から6日)、European Microwave Conferenceを核としGAASとEuropean Wirelessとの合計3つの会議を合体させて開催する方式で行われた。本論文は招待および一般論文の合計は328件であった。本報告では欧州マイクロ波会議での発表を(1)会議の概要、(2)アクティブ関係、(3)アンテナ関連、(4)CAD・解析、(5)ミリ波・光・センシング、(6)パッシブ関係、(7)通信・システム、(8)散乱・放射・環境電磁・人体影響に分けて紹介する。

著者

安藤 真 平野 拓一 岡田 健一 小山 佳也 平地 康剛 平出 賢吉

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集

巻号頁・発行日

vol.2008, no.1, pp."SS-12"-"SS-13", 2008-09-02

被引用文献数

3

著者

平地 康剛

出版者

一般社団法人 映像情報メディア学会

雑誌

テレビジョン学会誌 (ISSN:03866831)

巻号頁・発行日

vol.35, no.9, pp.710-718, 1981-09-01 (Released:2011-03-14)

参考文献数

29

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現在GaAs FETは, UHF帯からKu帯 (18GHzまで) にいたる周波数帯域で最も重要な半導体デバイスとなりつつある. 低雑音用FETは, 12GHzでNF1.5dBが実用レベルになり, 18GHzでも2dBを切るデータが報告されている. パワーFETは6GHzで25Wが達成され, C帯は完全にGaAsFETの実用化時代に入った. Ku帯では, 数Wクラスの素子の開発が急がれている. 次世代のデバイスとして, 高移動度電子トランジスタ (HEMT) が登場した.

著者

安藤 真 平野 拓一 岡田 健一 小山 佳也 平地 康剛 平出 賢吉

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集

巻号頁・発行日

vol.2008, no.2, pp."SS-12"-"SS-13", 2008-09-02

被引用文献数

1