- 著者
- 徳島 高 原田 慈久 辛 埴
- 出版者
- 一般社団法人日本物理学会
- 雑誌
- 日本物理學會誌 (ISSN:00290181)
- 巻号頁・発行日
- vol.63, no.11, pp.852-857, 2008-11-05
液体,溶液中の溶質や溶媒,水分を含んだ生体由来試料の価電子状態は,その化学反応や構造を考える上で極めて重要であるにもかかわらず,実験的な研究がほとんど進んでいない.ここで紹介する放射光励起による軟X線発光分光法は,価電子状態を元素選択的に観測することができる手法であり,その長い検出長を活かすことで,液体,溶液試料などにも適用可能である.本解説では,大型放射光施設SPring-8の軟X線ビームラインBL17SUで展開されている液体や溶液の電子状態の軟X線発光分光法を用いた研究について,実験装置と最近の研究例を紹介する.
1 0 0 0 OA 軟X線吸収発光分光法によるSiO2/Si界面電子状態のサイト選択的観測
- 著者
- 山下 良之 山本 達 向井 孝三 吉信 淳 原田 慈久 徳島 高 高田 恭孝 辛 埴 赤木 和人 常行 真司
- 出版者
- 公益社団法人 日本表面科学会
- 雑誌
- 表面科学 (ISSN:03885321)
- 巻号頁・発行日
- vol.26, no.9, pp.514-517, 2005-09-10 (Released:2008-04-08)
- 参考文献数
- 20
- 被引用文献数
- 1 1
Understanding the SiO2/Si interface on atomic level is an important subject for fabricating silicon based superior devices. However, despite of many studies on the SiO2/Si interface, the interfacial electronic states have been evaluated as the average, but not specifically with individual states. In the present study, we successfully observed the electronic states of particular atoms at the SiO2/Si interface for the first time, using soft X-ray absorption and emission spectroscopy. The interfacial states are noticeably different from those of the bulk SiO2 and strongly depend on the intermediate oxidation states at the interface. Furthermore, comparing the experimental results to theoretical calculations reveals the local interfacial structures.