1 0 0 0 Cu(111)表面におけるフォルメートの配向変化
- 著者
- 塩澤 佑一朗 小板谷 貴典 向井 孝三 吉本 真也 吉信 淳
- 出版者
- 公益社団法人 日本表面科学会
- 雑誌
- 表面科学学術講演会要旨集
- 巻号頁・発行日
- vol.33, 2013
銅表面におけるギ酸の分解反応は、二酸化炭素によるメタノール合成の素過程と関連しており重要な反応系である。本研究では、Cu(111)においてギ酸の解離によって生成したフォルメートを時間分解赤外反射吸収分光(TR-IRAS)を用いて研究した。測定結果から、ギ酸分子からモノデンテートフォルメートを経てバイデンテートフォルメートに至る配向変化のキネティクスが明らかになった。
1 0 0 0 22pTG-11 エチレン終端Si(100)表面に成長させたペンタセン薄膜のF4-TCNQによるエネルギーアラインメント制御(22pTG 界面デバイス・有機表面界面,領域7(分子性固体・有機導体))
- 著者
- 亀島 一輝 向井 孝三 吉本 真也 吉信 淳
- 出版者
- 一般社団法人 日本物理学会
- 雑誌
- 日本物理学会講演概要集
- 巻号頁・発行日
- vol.66, 2011
1 0 0 0 OA 軟X線吸収発光分光法によるSiO2/Si界面電子状態のサイト選択的観測
- 著者
- 山下 良之 山本 達 向井 孝三 吉信 淳 原田 慈久 徳島 高 高田 恭孝 辛 埴 赤木 和人 常行 真司
- 出版者
- 公益社団法人 日本表面科学会
- 雑誌
- 表面科学 (ISSN:03885321)
- 巻号頁・発行日
- vol.26, no.9, pp.514-517, 2005-09-10 (Released:2008-04-08)
- 参考文献数
- 20
- 被引用文献数
- 1 1
Understanding the SiO2/Si interface on atomic level is an important subject for fabricating silicon based superior devices. However, despite of many studies on the SiO2/Si interface, the interfacial electronic states have been evaluated as the average, but not specifically with individual states. In the present study, we successfully observed the electronic states of particular atoms at the SiO2/Si interface for the first time, using soft X-ray absorption and emission spectroscopy. The interfacial states are noticeably different from those of the bulk SiO2 and strongly depend on the intermediate oxidation states at the interface. Furthermore, comparing the experimental results to theoretical calculations reveals the local interfacial structures.