著者

渡部 慶 植松 康

出版者

一般社団法人 日本風工学会

雑誌

日本風工学会論文集 (ISSN:13493507)

巻号頁・発行日

vol.44, no.2, pp.23-32, 2019 (Released:2020-01-22)

参考文献数

4

被引用文献数

4 3

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Ventilated exterior wall systems are commonly used for low-rise buildings, such as residential houses. Because the net wind force on the external wall is the difference between external pressure and ventilation layer pressure, the load may be reduced due to the effect of pressure equalization. On the other hand, the ventilation layer pressure acts on the internal walls such as drywalls, which is not considered in the conventional wind-resistant design of walls. The present paper discusses this subject based on a wind tunnel experiment of the external pressures as well as on a numerical simulation of the vent-layer pressure. Based on both of the experimental and analytical results, wind force on each member is evaluated and a design guide is proposed for the ventilated exterior wall systems.

著者

熊崎 祐介 多木 俊裕 小谷 淳二 尾崎 史朗 新井田 佳孝 美濃浦 優一 西森 理人 岡本 直哉 佐藤 優 中村 哲一 渡部 慶二

出版者

The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers

雑誌

電子情報通信学会論文誌 C (ISSN:13452827)

巻号頁・発行日

vol.J104-C, no.12, pp.352-359, 2021-12-01

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本論文では,高効率なGaN基板上GaN HEMTのデバイス開発と動作実証を行った.GaN基板の利用により結晶欠陥を大幅に低減し,電流コラプス現象が抑制できることを確認した.また,結晶成長前にウェットケミカル処理を施すことで,基板表面のコンタミを除去し,結晶成長後の基板/エピ界面のSi不純物を低減することに成功した.Si不純物の低減により寄生損失を抑制し,2.45 GHzにおいて効率82.8%と極めて高い値を達成した.これは,同周波数帯にて報告されている異種基板上GaN HEMTの効率と比較して高い値であり,GaN基板上GaN HEMTの優れたポテンシャルを示す結果であるといえる.