1 0 0 0 ジャンケンの計算量(計算量理論)
- 著者
- 伊藤 暁 井上 克司 王 躍 岡崎 世雄
- 出版者
- 一般社団法人電子情報通信学会
- 雑誌
- 電子情報通信学会論文誌. D-I, 情報・システム, I-情報処理 (ISSN:09151915)
- 巻号頁・発行日
- vol.86, no.7, pp.452-457, 2003-07-01
- 被引用文献数
- 3
N人がジャンケンをして全員を順位づけるために必要なジャンケン総数の期待値は[○!-]((3/2)^N)であり,また最終的に1位の人だけを決めればよい場合に必要なジャンケン回数の期待値も[○!-]((3/2)^N)であることを示す.一方,各自が2種類の手しか出せないジャンケンでは,上述の期待値がそれぞれ[○!-](N),O(logN)となることを示す.
1 0 0 0 OA 半導体結晶の溶液成長における固液界面形態安定性に関する研究成果報告
- 著者
- 稲富 裕光 王 躍 菊池 正則 中村 龍太 内田 祐樹 神保 至
- 出版者
- 宇宙航空研究開発機構
- 雑誌
- 宇宙航空研究開発機構研究開発報告 (ISSN:13491113)
- 巻号頁・発行日
- vol.4, pp.1-18, 2005-03
本報告では,半導体結晶の溶液成長過程における以下の研究成果を述べる.(1)半導体結晶の溶液成長過程における固液界面の形態変化に及ぼす基板結晶の面方位の影響を調べるために近赤外顕微鏡を使ったその場観察実験が実施された.その結果,対流を抑制することでGaP/GaP成長界面のステップカイネティクス係数の面方位依存性が得られ,結晶成長時におけるマクロステップの挙動が評価された.また,GaAs_xP_<1-x>/GaPヘテロLPE 成長初期の固液界面の表面形態変化が基板表面の面方位依存性の視点から議論された.(2)静磁場THM 法によりTe 溶液から育成したCdZnTe 結晶の成長界面が急冷法によって調べられた.その結果,浮力対流を抑制することで速い引き下げ速度でも良質なCdZnTe 成長結晶を得られることを示した.