著者

橋本 博文 横堀 伸一 三田 肇 高橋 昭久 吉田 由香里 高橋 和生 稲富 裕光 Hashimoto Hirofumi Yokobori Shin-ichi Mita Hajime Takahashi Akihisa Yoshida Yukari Takahashi Kazuo Inatomi Yuko

出版者

宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究所(JAXA)(ISAS)

雑誌

観測ロケットシンポジウム2018 講演集 = Proceedings of Sounding Rocket Symposium 2018

巻号頁・発行日

2018-07

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第1回観測ロケットシンポジウム(2018年7月17日-18日. 宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究所(JAXA)(ISAS)), 相模原市, 神奈川県

著者

木下 恭一 荒井 康智 稲富 裕光 塚田 隆夫

出版者

日本マイクログラビティ応用学会

雑誌

International Journal of Microgravity Science and Application (ISSN:21889783)

巻号頁・発行日

vol.34, no.1, pp.340113, 2017-01-31 (Released:2020-05-14)

参考文献数

25

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Total of four SiGe crystal growth experiments by the traveling liquidus-zone (TLZ) method have successfully been performed aboard the “Kibo” in 2013 and 2014. Results show that the TLZ method is a powerful method for growing compositionally uniform mixed crystals. On the ground, convection in a melt stops crystal growth and long crystals are difficult to be grown, while in microgravity long and large homogeneous crystals are grown in the diffusion limited regime. Step temperature change by 1 ℃ during crystal growth resulted in interface marking and growth rates in the axial and radial directions were measured precisely. Growth conditions for achieving radial uniformity were obtained. Growth instability at the initial stage was made clear, which was observed in microgravity for the first time. It is shown that convection in a melt has a merit of avoiding such instability.

著者

橋本 樹明 澤井 秀次郎 斎藤 芳隆 稲富 裕光 石川 毅彦 小林 弘明 坂井 真一郎 山川 宏 吉光 徹雄 斎藤 芳隆 石川 毅彦 稲富 裕光 澤井 秀次郎 坂井 真一郎 吉光 徹雄 小林 弘明 藤田 和央 坂東 信尚 山川 宏

出版者

独立行政法人宇宙航空研究開発機構

雑誌

学術創成研究費

巻号頁・発行日

2004

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数十秒間の微小重力環境を中程度のコストで実現する手段として、高高度気球から微小重力実験装置を落下させ、自由落下中に微小重力実験を実施するシステムを開発した。飛翔実験にて10^<-4>G以下の微小重力環境を約35秒間実現し、今後の定常的運用に目処を立てた。

著者

稲富 裕光 王 躍 菊池 正則 中村 龍太 内田 祐樹 神保 至

出版者

宇宙航空研究開発機構

雑誌

宇宙航空研究開発機構研究開発報告 (ISSN:13491113)

巻号頁・発行日

vol.4, pp.1-18, 2005-03

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本報告では,半導体結晶の溶液成長過程における以下の研究成果を述べる.(1)半導体結晶の溶液成長過程における固液界面の形態変化に及ぼす基板結晶の面方位の影響を調べるために近赤外顕微鏡を使ったその場観察実験が実施された.その結果,対流を抑制することでGaP/GaP成長界面のステップカイネティクス係数の面方位依存性が得られ,結晶成長時におけるマクロステップの挙動が評価された.また,GaAs_xP_<1-x>/GaPヘテロLPE 成長初期の固液界面の表面形態変化が基板表面の面方位依存性の視点から議論された.(2)静磁場THM 法によりTe 溶液から育成したCdZnTe 結晶の成長界面が急冷法によって調べられた.その結果,浮力対流を抑制することで速い引き下げ速度でも良質なCdZnTe 成長結晶を得られることを示した.