著者

田辺 亮 山崎 隆浩 芦澤 芳夫 岡 秀樹

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会技術研究報告. VLD, VLSI設計技術 (ISSN:09135685)

巻号頁・発行日

vol.104, no.322, pp.21-26, 2004-09-21

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sub-100nm領域の極微細MOSFETにおいては,従来のDrift-Diffusion輸送モデルで完全に記述するのは難しく,モンテカルロ法による解析が注目されている.最近ではFinFET,TriGate FETなどNon-Planarデバイスが非常に注目されており,これらは従来の2次元シミュレーションでの解析は難しい.そこで,我々は富士通製モンテカルロ・シミュレータFALCONを3次元に拡張し,マルチゲートデバイスの検討を行った.第一原理擬ポテンシャルバンド計算プログラムと結合することにより,歪みSiの計算を行い,さらに,Bohmポテンシャルを用いる量子補正により量子効果の計算も同時に可能にした.

著者

久保谷 政義 田辺 亮

出版者

日本教育情報学会

雑誌

教育情報研究 (ISSN:09126732)

巻号頁・発行日

vol.35, no.1, pp.11-24, 2019 (Released:2019-09-30)

参考文献数

16

被引用文献数

2

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2017~2018年に大学に入学した者たちは,スマートフォンとSNSの普及というICT環境の変化の中で思春期を送り,「スマホネイティブ」とも呼ばれる世代である.本稿では,彼らのICT活用能力とスマートフォンの利用状況について,大学入学直後に実施したアンケート調査を用いて分析を加える.分析の結果,ICT活用能力のうち,特に情報倫理とメールに関連する知識・スキルは他の知識・スキルとの相関が弱いこと,スマートフォンについては,多様な機能を使うほど,とりわけ,四大SNS(LINE, Facebook, Twitter, Instagram)の使用数が多いほどその使用時間が長くなること,スマートフォンの使用時間の長さは必ずしもICT活用能力の向上に結びつくとは言えないことが明らかになった